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O波段硅基二氧化硅密集波分复用AWG设计及制备

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光子学报 2024年第8期53卷 102-111页

作者：韩凤张家顺王亮亮崔鹏伟王玥安俊明陈军孙冰丽周天红集宁师范学院物理与电子信息工程学院乌兰察布012000 中国科学院半导体研究所光电子材料与器件重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 河南仕佳光子科技股份有限公司河南省光电芯片与集成重点实验室鹤壁458030

O波段波分复用器是数据中心高速互连关键器件,采用相对折射率差为0.75%的硅基二氧化硅光波导材料,设计并制备了O波段48通道平顶型密集波分复用阵列波导光栅芯片,采用金属合金架固定阵列波导光栅芯片,金属螺杆随温度变化收缩或伸张,可补... 详细信息

O波段波分复用器是数据中心高速互连关键器件,采用相对折射率差为0.75%的硅基二氧化硅光波导材料,设计并制备了O波段48通道平顶型密集波分复用阵列波导光栅芯片,采用金属合金架固定阵列波导光栅芯片,金属螺杆随温度变化收缩或伸张,可补偿阵列波导光栅芯片响应谱波长随温度产生的飘移,实现-5℃到65℃温度范围内响应谱稳定输出,采用非归零和4电平信号两种调制方式进行高速信号传输。测试结果表明,封装后的阵列波导光栅的插入损耗在-5.31~-6.59 dB之间,通道间隔0.676 nm,1 dB、3 dB带宽分别为0.41 nm、0.55 nm,相邻串扰、非相邻串扰分别为29.4 dB、29.2 dB,偏振相关损耗小于0.67 dB,-5℃到65℃变温下中心波长漂移由7 pm/℃减小到0.6 pm/℃,26.56 Gbps非归零及53.12 Gbps 4电平信号调制传输眼图消光比分别大于5.5 dB和3.6 dB。

关键词：阵列波导光栅密集波分复用数据中心二氧化硅波导非归零调制 4电平调制

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基于拓扑/二维量子材料的自旋电子器件

物理学报 2024年第1期73卷 69-81页

作者：江龙兴李庆超张旭李京峰张静陈祖信曾敏吴昊华南师范大学半导体科学与技术学院广州510631 松山湖材料实验室东莞523808 北京航空航天大学材料科学与工程学院北京100191

拓扑材料和二维材料等新型量子材料,为自旋电子器件的研究与发展提供了新契机.这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面,从而改善器件表现,更由于它们丰富的相互作用和耦合关系,能提供新奇物理现象和新的物... 详细信息

拓扑材料和二维材料等新型量子材料,为自旋电子器件的研究与发展提供了新契机.这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面,从而改善器件表现,更由于它们丰富的相互作用和耦合关系,能提供新奇物理现象和新的物性调控机制,在自旋电子器件方面具有潜在的应用价值.拓扑材料和二维材料,尤其是层状拓扑材料、二维磁性材料以及它们组成的异质结的相关研究,取得了丰硕的成果,兼顾了启发性与及时的实用性.本文将综述这些新型量子材料的近期研究成果:首先重点介绍拓扑材料在自旋轨道力矩器件中实现的突破;其次着重总结二维磁性材料的特性及其在自旋电子器件中的应用;最后将进一步讨论由拓扑材料/二维磁性材料组成的全范德瓦耳斯异质结的研究进展.

关键词：自旋电子器件拓扑材料二维材料全范德瓦耳斯异质结

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性能优越用途广泛的硅霍尔元件

中国仪器仪表 1982年第6期 23-24页

北京师范学院半导体器件厂经过几年的努力,研制成功了硅霍尔元件,填补了国内空白,现已批量生产。一、应用情况本厂生产的硅霍尔元件,现已成功地应用于航空、内燃机车、磁量测量和磁性材料研究等方面。 1.用于航空基于霍尔元件磁电传感... 详细信息

北京师范学院半导体器件厂经过几年的努力,研制成功了硅霍尔元件,填补了国内空白,现已批量生产。一、应用情况本厂生产的硅霍尔元件,现已成功地应用于航空、内燃机车、磁量测量和磁性材料研究等方面。 1.用于航空基于霍尔元件磁电传感的特性,它可用于速度、加速度、角度和长度的测量和控制。目前在飞机、飞行器上应用的例子有:

关键词：霍尔元件航空内燃机车半导体器件电子设备

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硅霍耳元件和特斯拉计

物理 1984年第2期 76-80页

作者：梁晓春丁丕光徐彬李士俊傅长保北京师范学院半导体器件厂

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硅霍尔元件

仪表技术与传感器 1975年第6期 36-37页

一、原理和用途简介硅霍尔元件,是用N型单晶硅制做的一种磁电变换器件。其外形如图所示:它是在一块平行六面长方单晶薄片上安装ab和cd两对电极而构成的。电极ab称控制极,通以电流I(作

关键词：霍尔元件电流重复性误差线性度控制极

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JC多功能测磁仪在教学实验中的应用

物理 1984年第11期 664-665页

作者：苏镇梁晓春北京师范学院半导体器件厂

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InP微波光电器件的物理特性

光电子．激光 1992年第2期3卷 116-121页

作者：夏瑞东陈定钦北京师范学院分院中科院北京半导体所

本文对InP微波光电器件的物理特性进行了研究。具体分析了InP材料中产生微分负迁移率的条件。介绍了InP材料的速度场特性,计算了InP体效应器件理论上可获得的最大效率,对在InP器件中形成稳定畴的条件进行了详细的数学分析。

关键词：磷化铟器件微波光电器件 InP材料

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硅霍尔元件的温度补偿方法

仪表技术与传感器 1977年第6期 35-36+48页

作者：耿天明北京师范学院半导体器件厂应用组

霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用... 详细信息

霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用场合这是很讨厌的,要求避免或削弱其影响。为了在使用过程中让霍尔电势稳定,一般都采用恒流源供电。这是很必要而且很见效的措施,但对于精度要求较高的场合,如对某些物理量的检测系统中,光靠恒流源只能部分地解决间题,即只能

关键词：霍尔元件温度系数内阻温度补偿温度校正电阻电阻抗

微米量级薄膜铌酸锂脊型波导中高效非线性频率转换(特邀)

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光学学报 2024年第15期44卷 92-100页

作者：丁文君张玉婷仇晶唐永志张景丁婷婷黎浩刘时杰郑远林陈险峰区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验上海交通大学物理与天文学院上海200240 中国科学院半导体研究所北京100083 上海工程技术大学电子电气工程学院上海201620 上海量子科学研究中心上海201315 山东师范大学光场调控及应用中心山东济南250358

铌酸锂基集成光子学在过去几十年里一直备受关注,近年来薄膜铌酸锂的出现更是极大地推动了该领域的发展。本文利用紫外光刻和干法刻蚀技术在3μm厚的薄膜铌酸锂上制备了微米波导(横截面为2.6μm×3μm),光纤波导耦合损耗仅1.2 dB/facet... 详细信息

铌酸锂基集成光子学在过去几十年里一直备受关注,近年来薄膜铌酸锂的出现更是极大地推动了该领域的发展。本文利用紫外光刻和干法刻蚀技术在3μm厚的薄膜铌酸锂上制备了微米波导(横截面为2.6μm×3μm),光纤波导耦合损耗仅1.2 dB/facet。周期极化薄膜铌酸锂微米波导在通信波段下实现了高效的二次谐波(倍频)产生,归一化转换效率达到164%W^(-1)·cm^(-2),并在1 W基频光输入条件下展现出57%的高效的绝对频率转换。同时,该微米波导还可实现高效的和频转换,在300 mW泵浦光下的小信号和频上转换效率为139%。优秀的频率转换性能、可规模化制备以及良好的光纤兼容性使微米量级薄膜铌酸锂展现出巨大的吸引力,未来有望发展更多的多功能器件并推动集成光子学的基础研究和光量子信息的应用发展。

关键词：非线性光学薄膜铌酸锂周期极化铌酸锂准相位匹配高效频率转换