硅霍尔元件的温度补偿方法
作者机构：北京师范学院半导体器件厂应用组
出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)
年 卷 期：1977年第6期
页 面：35-36+48页
主 题：霍尔元件 温度系数 内阻 温度补偿 温度校正 电阻 电阻抗
摘 要：霍尔元件与一般半导体元件一样,对温度的变化很敏感。由于半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度都随着温度变化,所以霍尔元件的性能参数,如内阻、霍尔电势等也随温度变化。对于硅霍尔元件来说,内阻对温度的变化更为敏感,在许多应用场合这是很讨厌的,要求避免或削弱其影响。为了在使用过程中让霍尔电势稳定,一般都采用恒流源供电。这是很必要而且很见效的措施,但对于精度要求较高的场合,如对某些物理量的检测系统中,光靠恒流源只能部分地解决间题,即只能
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