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无耗散拓扑电子学的新进展:器件与能量耗散

科学通报 2025年第1期 1-3页

作者：李海龙闫青江华谢心澄北京大学物理学院量子材料科学中心复旦大学理论物理与信息科学交叉中心复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院合肥国家实验室

晶体管,作为现代微纳电子技术的基石,是构成集成电路的基本单元,实现了复杂电路功能的微型化.晶体管通过控制电子的输运,执行各种逻辑运算和信号处理任务.然而,在执行这些功能时,传统晶体管并非完全高效和无能耗.电子在晶体管内部传输...

晶体管,作为现代微纳电子技术的基石,是构成集成电路的基本单元,实现了复杂电路功能的微型化.晶体管通过控制电子的输运,执行各种逻辑运算和信号处理任务.然而,在执行这些功能时,传统晶体管并非完全高效和无能耗.电子在晶体管内部传输过程中,由于电阻的存在,会有一部分能量转化为热能,这种能量转化遵循焦耳定律,即电流通过导体产生的热功率与电流的平方以及导体的电阻成正比.这种以焦耳热形式释放的能量损耗,不仅降低了集成电路的能量效率,还可能导致晶体管的温度升高,进而影响电路的稳定性和可靠性,甚至限制了微纳电路性能的进一步提升.

关键词：

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论政府的服务性

北京行政学院学报 2014年第4期 1-7页

作者：杨凤春北京大学电子政务研究院北京100871

近年来,服务型政府问题越来越引起政府、学术界和公众的关注。有关服务型政府建设的研究也很繁荣。在国家治理、政府管理创新方面,以公共服务为核心的服务型政府建设正在成为重要的发展方向。政府的服务性是政府的一项基本性质,政府服... 详细信息

近年来,服务型政府问题越来越引起政府、学术界和公众的关注。有关服务型政府建设的研究也很繁荣。在国家治理、政府管理创新方面,以公共服务为核心的服务型政府建设正在成为重要的发展方向。政府的服务性是政府的一项基本性质,政府服务本质上是政府服务性的体现;具体辨析了政府服务性的若干主要方面。该问题的研究有助于在理论上进一步厘清政府与服务的关系,有助于政府服务的公共行政和政治地位的进一步确立,也有助于强化政府服务在国家治理体系和治理能力建设、政府创新中的地位和作用。

关键词：政府服务服务型政府

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论中国政府的服务性

北京行政学院学报 2015年第1期 60-66页

作者：杨凤春北京大学电子政务研究院北京100871

在政府服务性概念的基础上探讨中国政府服务性的发展阶段、形态、内容与性质问题,分别考察了"为人民服务"与公共服务两种形态的政府服务性的价值、理念、实现形式和特征;区分了政治本位的政府服务性与公众本位的政府服务性,以及这两种... 详细信息

在政府服务性概念的基础上探讨中国政府服务性的发展阶段、形态、内容与性质问题,分别考察了"为人民服务"与公共服务两种形态的政府服务性的价值、理念、实现形式和特征;区分了政治本位的政府服务性与公众本位的政府服务性,以及这两种服务性对于政府服务实践的影响;指出从政治本位的政府服务性向公众本位的政府服务性转变体现了中国政府服务性的进化,因而具有积极的公共行政和政治意义。

关键词：政府服务为人民服务公共服务服务型政府

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一种针对SAR图像的舰船目标检测算法

电光与控制 2025年第1期32卷 74-79页

作者：孟凡龙齐向阳范怀涛中国科学院空天信息创新研究院北京100000 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100000

由于环境复杂、舰船目标散焦和尺度的多样性,基于SAR图像的舰船目标检测仍然存在一些问题。提出了一种针对SAR图像的舰船目标检测算法。首先,基于可变形卷积构建舰船目标特征细化模块,提高对大长宽比姿态的舰船目标的特征提取能力;其次... 详细信息

由于环境复杂、舰船目标散焦和尺度的多样性,基于SAR图像的舰船目标检测仍然存在一些问题。提出了一种针对SAR图像的舰船目标检测算法。首先,基于可变形卷积构建舰船目标特征细化模块,提高对大长宽比姿态的舰船目标的特征提取能力;其次,在主干网络末尾引入了舰船空间金字塔聚合结构,增强对舰船目标的全局特征提取能力;最后,设计了尺度扩展特征金字塔网络,增强舰船浅层和深层特征信息的交互,提高对多尺度舰船目标的检测能力。实验结果表明,所提算法在HRSID数据集上的mAP达到了93.72%,F1分数达到了89.70%,优于所有比较算法,具有良好的检测效果。

关键词： SAR图像舰船检测可变形卷积舰船空间金字塔聚合结构尺度扩展特征金字塔网络

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栅耦合型静电泄放保护结构设计

物理学报 2007年第12期56卷 7242-7247页

作者：王源贾嵩孙磊张钢刚张兴吉利久北京大学微电子研究院北京100871

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测... 详细信息

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.

关键词：静电泄放栅耦合金属氧化物半导体场效应管压焊块电容

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掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

物理学报 2005年第5期54卷 2252-2255页

作者：黄伟张利春高玉芝金海岩北京大学微电子研究院北京100871

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析... 详细信息

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人 5 .9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用 .经 6 5 0— 80 0℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好 ,势垒高度ΦB 为 0 .6 4— 0 .6 6eV ,理想因子接近于 1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性 .

关键词：镍硅化物快速热退火硅化镍薄膜热稳定性卢瑟福背散射

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硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

电子学报 2002年第11期30卷 1577-1584页

作者：王阳元武国英郝一龙张大成肖志雄李婷张国炳张锦文北京大学微电子研究院北京100871

本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了... 详细信息

本文论述了硅基MEMS标准工艺 ,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺 .深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术 .体硅工艺主要进行了以下研究 :硅 /硅键合、硅 /镍 /硅键合、硅 /玻璃键合工艺及其优化 ;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件 ;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应 ;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究 .表面牺牲层工艺主要进行了下列研究 :多晶硅薄膜应力控制工艺 ;

关键词：硅基 MEMS标准工艺高深宽比刻蚀键合多晶硅应力防粘附微机电系统半导体

用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文)

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北京大学学报（自然科学版） 2004年第3期40卷 417-423页

作者：张贺秋许铭真谭长华北京大学微电子研究院北京100871

在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密... 详细信息

在均匀的高电场应力下 ,MOSFET器件的阈值电压和输出特性的比例差分峰值会有所改变。这是由于在应力过程中产生的缺陷引起的。在本文中 ,用比例差分方法从NMOSFET器件的输出特性提取了阈值电压、输出特性的比例差分的峰值和界面陷阱密度。得到了阈值电压和比例差分峰值 ,界面陷阱密度和应力时间的关系。此种方法也适用于PMOSFET器件。这是一个简单而快捷的技术。

关键词：界面陷阱密度高电场应力比例差分 MOSFET

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全电极脊形波导光传输特性(英文)

光子学报 2005年第7期34卷 984-987页

作者：贾玉斌北京大学微电子研究院北京100871

给出一种较为简便的全电极脊形波导的分析方法,即采用有效折射率方法把此金属包层脊形波导化成一个二维等效平板波导,然后利用微分法得到模的有效折射率满足的方程和吸收损耗系数的解析表达式.作为一个特例,用这种方法对SiO2全电极脊形... 详细信息

给出一种较为简便的全电极脊形波导的分析方法,即采用有效折射率方法把此金属包层脊形波导化成一个二维等效平板波导,然后利用微分法得到模的有效折射率满足的方程和吸收损耗系数的解析表达式.作为一个特例,用这种方法对SiO2全电极脊形波导光传输特性如光传播常数和损耗进行了计算,并得到一些有益的结论.

关键词：光波导金属包层吸收损耗有效折射率