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MBE同质外延生长Sn掺杂β-Ga2O3（010）薄膜的电子输运性质研究

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人工晶体学报 2025年

作者：张子琦杨珍妮况思良魏盛龙徐文静陈端阳齐红基张洪良厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室杭州光学精密机械研究所中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室

本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂（UID）和锡掺杂的β-Ga2O3同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×1016至2.9×1019cm-3，载流子浓度为3.2×1016cm-3的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率，为125 cm2... 详细信息

本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂（UID）和锡掺杂的β-Ga2O3同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×1016至2.9×1019cm-3，载流子浓度为3.2×1016cm-3的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率，为125 cm2·V-1·s-1，在80 K时的峰值迁移率为875 cm2·V-1·s-1，达到了当前MBE生长的Ga2O3薄膜的先进水平。利用温度相关霍尔测试表征同质外延薄膜的电子输运性质，计算得到锡掺杂剂的激活能为76.2 meV。通过散射模型的拟合计算，分析了这一系列同质外延薄膜的电子散射性质，在低温到高温过程中，来自本征缺陷的电离杂质散射及晶体中阴阳离子库仑力的极性光学声子（POP）散射限制了迁移率的增长。

关键词： β-Ga O 外延薄膜掺杂激活能迁移率输运性质

基于MOPA结构的1950 nm低重频大能量Figure-9皮秒锁模光纤激光器系统

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中国激光 2025年

作者：潘勇剑路桥潘浩张东马挺中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所光子器件与材料安徽省重点实验室中国科学技术大学南京信息工程大学自动化学院上海科乃特激光科技有限公司

本文首次报道了一种基于MOPA结构的Figure-9低重频大能量掺铥锁模皮秒光纤激光器系统。激光振荡器直接输出脉冲宽度为46 ps,重复频率为20 MHz,平均输出功率为24.6 mW，对应单脉冲能量为1.23 nJ。通过腔外声光调制器（AOM）对输出脉冲序... 详细信息

本文首次报道了一种基于MOPA结构的Figure-9低重频大能量掺铥锁模皮秒光纤激光器系统。激光振荡器直接输出脉冲宽度为46 ps,重复频率为20 MHz,平均输出功率为24.6 mW，对应单脉冲能量为1.23 nJ。通过腔外声光调制器（AOM）对输出脉冲序列进行脉冲拾取，将重复频率由20 MHz降低至20 kHz，并且基于自行设计的全光纤主振荡功率放大（MOPA）结构将重复频率20 kHz下的输出单脉冲能量提升至50μJ。据我们所知，这也是目前基于MOPA结构的全光纤Figure-9掺铥锁模皮秒激光器系统中所能实现的最大单脉冲能量输出。

关键词：锁模光纤激光器低重频大能量皮秒 MOPA

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粘度测量方法进展

人工晶体学报 2007年第2期36卷 381-384,404页

作者：刘文鹏张庆礼殷绍唐孙敦陆邵淑芳张霞谷长江中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室

粘度测量方法在近年来有了很大的发展。文中总结了几种传统的粘度测量方法,重点介绍了近年来出现的新型测量方法及晶体生长中熔体粘度的测量,并对晶体生长中粘度测量方法的发展进行了展望,提出了粘度测量方法发展的几种方向。

关键词：粘度测量晶体生长

退火对Nd,Cr:GSGG激光晶体吸收光谱的影响

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人工晶体学报 2006年第4期35卷 692-695页

作者：孙敦陆张庆礼江海河殷绍唐中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室合肥230031

本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究。氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失。还原气氛(CO和H2)下退火后... 详细信息

本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究。氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失。还原气氛(CO和H2)下退火后的吸收光谱中,在1μm处的吸收带基本消失,这对于提高激光效率是非常有利的。此外,在642nm处的吸收带强度有一定的减弱。这些数据对于晶体后处理工艺的改进和激光器设计具有重要的参考价值。

关键词： Nd,Cr:GSGG晶体还原气氛退火吸收损失

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纳米Yb:LuScO_3的制备和发光

发光学报 2008年第5期29卷 875-878页

作者：丁丽华张庆礼刘文鹏邵淑芳肖进殷绍唐中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室安徽合肥230031

采用液相共沉淀方法,制备了纳米材料Yb:LuScO3。X射线衍射分析结果表明,它的晶格参数为a=1.0126nm,粒度为50nm。在937nm光激发下,发射谱带很宽,发射峰分别位于976,1037,1085nm。通过漫反射吸收光谱,确定零吸收线在976nm处,能级分裂达102... 详细信息

采用液相共沉淀方法,制备了纳米材料Yb:LuScO3。X射线衍射分析结果表明,它的晶格参数为a=1.0126nm,粒度为50nm。在937nm光激发下,发射谱带很宽,发射峰分别位于976,1037,1085nm。通过漫反射吸收光谱,确定零吸收线在976nm处,能级分裂达1029cm-1,表明它的晶场分裂比较大。

关键词： LuScO3 共沉淀法发光纳米粉体

纳米发光材料Re(Nd，Yb)：GdAlO3的合成、结构及发光性能

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功能材料 2008年第10期39卷 1601-1604,1607页

作者：邵淑芳张庆礼肖进罗建乔孙敦陆刘文鹏丁丽华殷绍唐中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室安徽合肥230031 中国科学研究院研究生院北京100049

采用共沉淀方法,以Gd2O3、Al(NO3)3.9H2O、Nd2O3(Yb2O3)为原料、氨水为沉淀剂,合成了Nd∶GdAlO3(5%(原子分数))和Yb∶GdAlO3(5%(原子分数))纳米多晶粉末,采用X射线衍射(XRD)和Rietveld精修方法对晶体结构进行了研究,采用场发射扫描电镜(... 详细信息

采用共沉淀方法,以Gd2O3、Al(NO3)3.9H2O、Nd2O3(Yb2O3)为原料、氨水为沉淀剂,合成了Nd∶GdAlO3(5%(原子分数))和Yb∶GdAlO3(5%(原子分数))纳米多晶粉末,采用X射线衍射(XRD)和Rietveld精修方法对晶体结构进行了研究,采用场发射扫描电镜(FESEM)对晶体的形貌进行了研究,同时对晶体的发射光谱进行了测量。XRD结果表明,在较低的煅烧温度和较短的煅烧时间下(1000℃,保温3h)可获得纯Nd∶GdAlO3和Yb∶GdAlO3晶相,同时晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而增大。Rietveld精修结果表明半径较大的Nd3+离子的掺杂,使GdAlO3晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势。FESEM结果表明,颗粒大小均在纳米尺寸范围之内,且具有较好的分散性。在Nd∶GdAlO3晶体的发射光谱中,在927、1077和1335nm附近出现的3个发射峰分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/24、F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2跃迁;在Yb∶GdAlO3晶体中,主要发射峰波长位于979、997和1028nm处,其中1028nm处为最强发射峰,对应于Yb3+的2F5/2→2F7/2跃迁。

关键词： Nd:GdAlO3 Yb:GdAlO3 共沉淀法发光晶体结构

Ce^(3+)∶YAG单晶闪烁体的激发和发光特性

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人工晶体学报 2003年第4期32卷 295-299页

作者：黄朝红张庆礼周东方王爱华殷绍唐施朝淑中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室合肥230031 中国科学技术大学物理系合肥230026

铈激活钇铝石榴石 (Ce3 + ∶YAG)单晶是综合性能优良的快衰减闪烁材料。本文以普通光源、激光、同步辐射以及阴极射线为激发源 ,对我们生长的Ce3 + ∶YAG闪烁晶体的激发和发光特性进行了系统的研究。结果表明 :Ce3 + ∶YAG单晶的激发光... 详细信息

铈激活钇铝石榴石 (Ce3 + ∶YAG)单晶是综合性能优良的快衰减闪烁材料。本文以普通光源、激光、同步辐射以及阴极射线为激发源 ,对我们生长的Ce3 + ∶YAG闪烁晶体的激发和发光特性进行了系统的研究。结果表明 :Ce3 + ∶YAG单晶的激发光谱 (监测荧光波长为 5 4 5nm)由五个激发峰组成。不同激发条件下的发射光谱均能用双高斯峰进行较好的拟合 ,拟合后得到的Ce3 + 的 5d→2 F5/2 和 5d→2 F7/2 发光带的中心波长分别约为 5 2 0nm和 5 70nm。但是 ,不同条件激发下 5d→2 F5/2 和 5d→2 F7/2 发光带的强度比有较大差异 ,这可能与不同的激发机制和激发能传输途径有关。

关键词： Ce^3+:YAG 单晶闪烁体激发特性发光特性铈激活钇铝石榴石闪烁材料

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最小二乘法计算晶格参数

量子电子学报 2009年第2期26卷 177-186页

作者：张庆礼王宜申肖进李冬青殷绍唐中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料研究室安徽合肥230031

最小二乘法是求解精确晶格参数的基本方法。讨论了使用和不使用校正函数情形下的科恩最小二乘法,给出了所有晶系的法方程、晶格参数、误差估计的计算公式,以及计算晶格参数、校正函数参数的阻尼最小二乘迭代算法,该方法具有普适性,有大... 详细信息

最小二乘法是求解精确晶格参数的基本方法。讨论了使用和不使用校正函数情形下的科恩最小二乘法,给出了所有晶系的法方程、晶格参数、误差估计的计算公式,以及计算晶格参数、校正函数参数的阻尼最小二乘迭代算法,该方法具有普适性,有大的收敛范围和快的收敛速度。作为应用例子,计算了数个不同晶系晶体的晶格参数,说明最小二乘法是获得高精度晶格参数的计算方法;用阻尼最小二乘法计算了ChuG校正函数的参数,表明该方法是获得校正函数参数的有效方法。

关键词：材料晶格参数科恩最小二乘法法方程衍射角校正函数阻尼最小二乘法

一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究

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人工晶体学报 2003年第2期32卷 120-124页

作者：苏静于锡玲殷绍唐孙大亮程秀凤王坤鹏山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料实验室合肥230031

本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分... 详细信息

本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式 ;另外 ,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系。

关键词：一水甲酸锂单晶生长边界层全息显微术界面过饱和度