一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究
Single Crystal Growth and Holographic Study on Interface Boundary Layer of LFM (110) Face作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 中国科学院安徽光学精密机械研究所晶体材料实验室合肥230031
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2003年第32卷第2期
页 面：120-124页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金重点资助项目 (No.5 983 2 0 80 )
主 题：一水甲酸锂 单晶生长 边界层 全息显微术 界面过饱和度
摘 要：本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式 ;另外 ,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系。
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