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检索条件"机构=中国科学院半导体研究所国家集成光电子重点实验室"
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腾冲火山壳幔过渡带分析及岩浆上涌通道初探
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地震研究 2025年 第1期48卷 41-48页
作者: 范心甜 危自根 谢军 程智伟 凌媛 李雪垒 刘益炜 中国科学院精密测量科学与技术创新研究 大地测量与地球动力学国家重点实验室湖北武汉430077 中国科学院大学地球与行星科学学院 北京100049 河北工程大学地球科学与工程学院 河北邯郸056038 中国科学院地质与地球物理研究所地球和行星物理重点实验室 北京100029 湖南工商大学微电子与物理学院 湖南长沙410205
壳幔过渡带是地壳与地幔物质和能量的交换场,其结构特征与该区的深部过程和构造演化密切相关。提取腾冲火山区31个地震台站下方的接收函数H-κ叠加获得的地壳厚度随频率变化特征和接收函数的Ps/P、PpPs/P振幅比,发现盈江断裂北部的黑... 详细信息
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磁场下碳化物析出的热力学机制
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原子与分子物理学报 2025年 第4期42卷 121-130页
作者: 廖已莹 侯廷平 杨雨豪 郑一航 于涛 刘伍明 吴开明 武汉科技大学理学院 武汉430081 冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室 武汉430081 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室 武汉430081 江汉大学光电材料与技术学院光电化学材料与器件教育部重点实验室 武汉430056 中国科学院物理研究所 北京100190
钢中碳化物的形成主要由合金元素的种类以及含量的决定,碳化物对钢铁材料的显微组织形态和力学性能有重要影响.磁场是影响碳化物析出规律发生改变的重要因素之一.以常见的碳化物M_(6)C(M=Fe,Mo)作为研究对象,利用第一性原理计算η-Fe_(... 详细信息
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质子入射In靶激发L系特征X射线的角分布研究
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原子与分子物理学报 2025年 第2期42卷 98-104页
作者: 柳钰 王兴 徐忠锋 周贤明 程锐 张小安 梁昌慧 咸阳师范学院中国科学院近代物理研究所联合共建离子束与光物理实验室 咸阳712000 西安交通大学物理学院 西安710049 中国科学院近代物理研究所 兰州730000
本论文实验测量并分析了发射角以10°为间隔,125°-155°范围内,入射能量为250 keV的质子束激发In靶产生的特征L系X射线谱,根据实验测得能谱结果,综合考虑探测器的探测效率后,计算了不同探测角度下特征X射线的相对强度比L_(ι)/L_(γ1)... 详细信息
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二聚酸离子液体作为水基润滑添加剂的摩擦学性能研究
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摩擦学学报 2025年 第12期44卷 1739-1751页
作者: 张铭建 陈云龙 李维民 程顺峰 青岛农业大学 生命科学学院 山东 青岛 266041 中国科学院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室 甘肃 兰州 730000 淄博高端合成润滑材料创新中心 山东 淄博 255000
以不同链长的二元脂肪酸作为阴离子,以二异丙醇胺作为阳离子,合成了4种羧酸铵型离子液体(CAILs),并研究了其作为水-二乙二醇(WDG)添加剂的溶解性和摩擦学性能,随后采用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束-透射电子显... 详细信息
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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
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物理学报 2007年 第11期56卷 6654-6659页
作者: 姚飞 薛春来 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083
硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应... 详细信息
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NP油溶性离子液体添加剂的制备及其结构对摩擦学性能影响
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摩擦学学报 2025年 第12期44卷 1707-1719页
作者: 王玉荣 谢经堂 郭斌 张朝阳 于强亮 蔡美荣 郭峰 青岛理工大学 机械与汽车工程学院 山东 青岛 266520 中国科学院兰州化学物理研究所 固体润滑国家重点实验室 甘肃 兰州 730000 新疆工程学院 化学与环境工程学院 新疆 乌鲁木齐 830023 烟台先进材料与绿色制造山东省实验室 山东 烟台 264006
制备了2种新的磷酸季铵离子液体N22216P和N12121216P,研究了这2种离子液体(ILs)的溶解性能、黏温性能、热稳定性能和防腐性能,探究了温和高温下它们作为PAO10润滑添加剂的摩擦学性能,并分析了ILs的结构对其润滑性能的影响. 结果发... 详细信息
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硅基光栅耦合器的研究进展
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物理学报 2013年 第18期62卷 254-260页
作者: 杨彪 李智勇 肖希 Nemkova Anastasia 余金中 俞育德 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
硅基光子集成芯片的研究近年来发展迅速,已成为信息技术领域中最热门的研究方向之一,光通信、光互连、光传感等相关研发应用机构高度关注其发展,并积极介入.硅基光子集成芯片中,光栅耦合器作为光信号的输入和输出装置受到极大重视,尤其... 详细信息
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基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计
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物理学报 2013年 第19期62卷 260-265页
作者: 曹彤彤 张利斌 费永浩 曹严梅 雷勋 陈少武 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室北京100083
相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器,Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度,使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑.本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低... 详细信息
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一种热光可调谐级联微环滤波器的理论分析
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物理学报 2012年 第3期61卷 233-239页
作者: 任光辉 陈少武 曹彤彤 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室北京100083
根据Vernier效应可大幅度提高滤波器自由光谱范围和调谐范围,设计了一种热光可调谐级联微环滤波器.利用传输矩阵方法和有限元方法从理论上计算了对于第一级微环半径为48μm,第二级半径为50μm的级联微环滤波器的自由光谱范围和调谐范围... 详细信息
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硅基光子集成研究进展
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物理学报 2014年 第10期63卷 1-8页
作者: 周培基 李智勇 俞育德 余金中 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083
报道了国际上关于硅基光子集成的最新研究进展和本课题组在该领域的研究成果,包括对一些光收发模块、III-V族/硅基激光器等集成器件的结构改进和工艺的探索,展示了兼容互补金属氧化物半导体工艺的硅基光子集成在信息技术领域中的巨大前... 详细信息
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