检索结果-南通市图书馆

飞航导弹 2014年第6期 40-44页

作者：吴永亮中国电子科技集团第38研究所

印度近些年来十分关注预警机的发展,相继从国外采购预警机,并积极自研预警机系统。介绍了印度费尔康预警机、EMB-145预警机和卡-31预警直升机的主要情况,概述了印度未来预警机的发展规划,总结了印度预警机的发展趋势。

关键词：印度预警机雷达

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天基信息支援在超远程防空作战中的应用研究

现代防御技术 2024年

作者：刘科中国电子科技集团公司第十研究所

超远程防空致力于将来袭目标拒止于千里以外，需要打击链、指控链、情报链“三链”之间的密切配合。针对超远程防空这一改变战争规则的创新战法，本文首先剖析打击链、指控链和情报链的各个过程，提出天基信息直接支援模式，研究天基信... 详细信息

超远程防空致力于将来袭目标拒止于千里以外，需要打击链、指控链、情报链“三链”之间的密切配合。针对超远程防空这一改变战争规则的创新战法，本文首先剖析打击链、指控链和情报链的各个过程，提出天基信息直接支援模式，研究天基信息直接支援在超远程防空作战中的应用，对天基信息直接支援如何赋能打击链、指控链和情报链进行深入探讨，以期为未来超远程防空作战信息支持系统建设和发展提供参考和借鉴。

关键词：防空作战天基信息支援态势感知信息支持精确打击创新战法

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V波段宽带高效率功率合成放大器设计

电讯技术 2024年

作者：胡顺勇中国电子科技集团公司第十研究所

介绍了一种基于混合波导魔T的V波段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50GHz-75GHz频率范围内，平均电路损耗0.2dB，输入回波小于-... 详细信息

介绍了一种基于混合波导魔T的V波段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50GHz-75GHz频率范围内，平均电路损耗0.2dB，输入回波小于-20dB，隔离和输出回波小于-14dB，基于该电路结构，采用V波段宽带GaN功放芯片，研制了一种3.5W功率模块，以该功率模块为基本单元，并采用16路高效率功率分配/合成网络，研制出一款V波段宽带高效率功率合成放大器。实测在50GHz～75GHz的V波段全频段范围内，连续波饱和输出功率大于47dBm，小信号增益大于46dB，合成效率全频带内大于82%，在全频段实现了高效率合成和大功率输出。结果表明该电路结构紧凑、工作频带宽、合成效率高且便于散热，具有很好的工程应用价值。

关键词： V波段混合魔T 高效率功率合成

零应力温度和模型简化对CCGA器件寿命评估的影响

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机械工程学报 2023年

作者：冯明祥蒋庆磊王旭艳中国电子科技集团公司第十四研究所

在有限元方法评估陶瓷柱栅阵列封装(Ceramic column grid array, CCGA)器件温度循环疲劳寿命的问题上，国内外相关研究对零应力温度取值存在不同意见，也存在较多不同的模型简化方法。针对上述问题，选取一种CCGA封装器件，使用有限元... 详细信息

在有限元方法评估陶瓷柱栅阵列封装(Ceramic column grid array, CCGA)器件温度循环疲劳寿命的问题上，国内外相关研究对零应力温度取值存在不同意见，也存在较多不同的模型简化方法。针对上述问题，选取一种CCGA封装器件，使用有限元分析方法和Darveaux模型计算在不同零应力温度取值和不同的模型简化方法下的温度循环疲劳寿命。结果表明零应力温度取室温和温度循环试验的最高温度疲劳寿命计算差异小于0.1%，零应力温度取焊料凝固温度会轻微低估焊柱的温度循环疲劳寿命。缺省镀层铜箔、缺省部分印制电路板、片状模型和子模型简化方法均能得到相近的疲劳寿命计算结果，其中的片状模型简化方法在减少计算量上表现最突出，片状模型简化方法相比于初始模型可减少模型网格单元数量95%以上，且疲劳寿命计算结果偏差小于10%。

关键词： CCGA封装有限元仿真疲劳寿命零应力温度模型简化

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基于反相法的中场校准技术研究

微波学报 2023年

作者：连迎春于大群中国电子科技集团公司第十四研究所

在相控阵天线研制中，阵面校准是非常重要的一环。在各种校准方法中，“中场法”使用设备少，测试效率高，因而获得了广泛的应用。通常情况下，阵面中的T/R组件内设计有三态开关(发射态、接收态、负载态)，中场测试时通过“逐路通”的... 详细信息

在相控阵天线研制中，阵面校准是非常重要的一环。在各种校准方法中，“中场法”使用设备少，测试效率高，因而获得了广泛的应用。通常情况下，阵面中的T/R组件内设计有三态开关(发射态、接收态、负载态)，中场测试时通过“逐路通”的方式（逐一选通T/R组件的射频通道，非被测通道处于负载状态），得到所有通道的发射通道（或接收通道）的幅相数据。但在“芯片化”T/R组件组成的阵面中，开关隔离度有限，泄露信号严重干扰被测信号，甚至无法进行正常的故障判断。本文讨论一种基于反相法的中场校准方法，分析了该方法的误差量级，最后通过远场波瓣测试验证该方法有效。

关键词：中场法相控阵反相法芯片化校准

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基于硅基堆叠SIP技术的超宽带T/R组件

微波学报 2023年

作者：刘卫强万涛吕苗倪涛史千一中国电子科技集团公司第二十研究所

传统的超宽带T/R组件采用的是两维砖块式结构，体积和重量已不适应目前小型化、低剖面、易共形的相控阵天线要求。本文提出的基于硅基堆叠SIP（system in package）技术，将四通道的射频芯片高度集成在硅基介质基板上，将多层介质基板... 详细信息

传统的超宽带T/R组件采用的是两维砖块式结构，体积和重量已不适应目前小型化、低剖面、易共形的相控阵天线要求。本文提出的基于硅基堆叠SIP（system in package）技术，将四通道的射频芯片高度集成在硅基介质基板上，将多层介质基板厚金压合，实现多层堆叠的三维封装。通过采用芯片多功能集成技术和超宽带射频信号的垂直互连技术，实现三维堆叠的四通道超宽带T/R组件。T/R组件带宽为6-18GHz，单通道的发射功率优于23dBm，接收增益优于20dB，6位数控衰减，6为数控移相，尺寸只有13mm×13mm×3.4mm。该技术可以将多通道超宽带T/R组件实现SIP封装，有利于工程应用。

关键词： T/R组件超宽带硅基 SIP 堆叠

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微透镜阵列扫描成像系统的衍射分析与研究

激光与红外 2023年第7期53卷 1087-1094页

作者：陈卉中国电子科技集团第十一研究所北京100015

微透镜阵列是微光学元件典型器件之一,广泛的应用于光束整形、精密测量、光学成像等场景。本文研究了微透镜阵列扫描成像系统的工作机理,并重点分析了影响成像质量的光场衍射效应和杂散光串扰,完成了微透镜阵列扫描成像系统衍射效应的... 详细信息

微透镜阵列是微光学元件典型器件之一,广泛的应用于光束整形、精密测量、光学成像等场景。本文研究了微透镜阵列扫描成像系统的工作机理,并重点分析了影响成像质量的光场衍射效应和杂散光串扰,完成了微透镜阵列扫描成像系统衍射效应的推导与仿真,揭示了衍射效应与焦距及子单元孔径之间的关系,为微透镜阵列扫描成像系统的实际应用提供了导向,并为微透镜阵列的光束控制应用提供理论支撑,为微透镜阵列的建模、设计等提供依据。

关键词：微光学微透镜阵列衍射效应扫描成像杂散光

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一种C频段高集成多功能综合母板设计

微波学报 2023年

作者：许锐韦学科李树良中国电子科技集团公司第十四研究所

介绍了一种64通道的C频段高集成多功能综合母板的设计方案和关键技术，该综合母板应用于有源相控阵雷达天线阵面前端模拟子阵中。利用多层印制板压合技术，在天线口径内将电源模块、波控模块和片式T/R组件集成在子阵综合母板上。通过对... 详细信息

介绍了一种64通道的C频段高集成多功能综合母板的设计方案和关键技术，该综合母板应用于有源相控阵雷达天线阵面前端模拟子阵中。利用多层印制板压合技术，在天线口径内将电源模块、波控模块和片式T/R组件集成在子阵综合母板上。通过对各功能网络性能仿真设计、电磁兼容性设计等，最终完成综合母板设计。所介绍的64通道C频段综合母板尺寸228 mm×308 mm×4.8 mm，实测无源射频网络通道幅相一致性优于±0.1 dB、±1o，有源接收链路通道幅相一致性优于±1.4dB、±5o。该综合母板通过积木化拼接可实现雷达阵面规模二维扩展，适用多种布局方案，避免低效重复设计。

关键词：高集成多功能积木化综合母板

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偏压对电弧离子沉积锆膜性能的影响

真空科学与技术学报 2023年第5期43卷 426-431页

作者：赵世柯刘晋允于文杰中国电子科技集团公司第十二研究所北京100015

为研究偏压对通过电弧离子沉积法沉积的锆膜性能的影响,并探究锆膜在不同存储条件下的氧化程度,通过调整沉积过程偏压的大小以及占空比制备多组试样,利用扫描电子显微镜、X射线测厚仪、X射线衍射仪以及纳米划痕仪对薄膜的表面形貌、沉... 详细信息

为研究偏压对通过电弧离子沉积法沉积的锆膜性能的影响,并探究锆膜在不同存储条件下的氧化程度,通过调整沉积过程偏压的大小以及占空比制备多组试样,利用扫描电子显微镜、X射线测厚仪、X射线衍射仪以及纳米划痕仪对薄膜的表面形貌、沉积速率、薄膜结构、膜基结合力进行了研究。并利用X射线光电子能谱测试了锆膜在不同存储状态下的氧化程度。结果表明,偏压的增大会提升膜层表面光洁度。但因高能粒子反溅射作用的增强,会降低薄膜的沉积速率。同时,膜基结合力随着偏压的增大有升高的趋势,且膜层的(100)晶面择优趋势会逐渐减小。另外,偏压占空比的增加也会导致沉积速率下降。锆膜表面的氧化层厚度随着时长会逐渐增大,且膜层在大气中暴露一天的氧化程度比真空存储(10^(−5) Pa)半年严重。

关键词：电弧离子镀锆膜偏压氧化层

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光谱带宽对单偏振光纤消光比的影响

中国惯性技术学报 2017年第2期25卷 227-230页

作者：高亚明冯光李昌峰罗瑞芳韩志辉中国电子科技集团公司第46研究所天津300220

消光比是表征单偏振光纤偏振性能好坏的特征参数之一,影响它的因素有很多,如光谱带宽。结合熊猫型单偏振光纤的测量,搭建了双轴光谱带宽测量系统,通过对单偏振光纤的光谱带宽、消光比参数的大量测量和分析,找到了光谱带宽对消光比参数... 详细信息

消光比是表征单偏振光纤偏振性能好坏的特征参数之一,影响它的因素有很多,如光谱带宽。结合熊猫型单偏振光纤的测量,搭建了双轴光谱带宽测量系统,通过对单偏振光纤的光谱带宽、消光比参数的大量测量和分析,找到了光谱带宽对消光比参数影响的原因。结论是单偏振光纤的工作波长要远离光谱带宽的下限位置,即HE_(11y)模式的截止损耗峰,另外,要求HE_(11y)模式的截止损耗要陡峭,这样才能保证单偏振光纤具有高消光比特性。

关键词：单偏振光纤绝对单模光纤光纤起偏器光纤检偏器光纤传感器