V波段宽带高效率功率合成放大器设计

作     者：胡顺勇 

作者机构：中国电子科技集团公司第十研究所 

出 版 物：《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期：2024年

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 

主　　题：V波段 混合魔T 高效率 功率合成 

摘      要：介绍了一种基于混合波导魔T的V波段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50GHz-75GHz频率范围内，平均电路损耗0.2dB，输入回波小于-20dB，隔离和输出回波小于-14dB，基于该电路结构，采用V波段宽带GaN功放芯片，研制了一种3.5W功率模块，以该功率模块为基本单元，并采用16路高效率功率分配/合成网络，研制出一款V波段宽带高效率功率合成放大器。实测在50GHz～75GHz的V波段全频段范围内，连续波饱和输出功率大于47dBm，小信号增益大于46dB，合成效率全频带内大于82%，在全频段实现了高效率合成和大功率输出。结果表明该电路结构紧凑、工作频带宽、合成效率高且便于散热，具有很好的工程应用价值。