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基于事件模式及类型的事件检测模型

电子科技大学学报 2022年第4期51卷 592-599页

作者：代翔中国电子科技集团公司第十研究所成都610036

针对触发词定义标准模糊、语料标注成本高等问题,提出一种基于事件模式及类型的事件检测深度学习模型(PTNN)。首先基于实体的语法及语义特征获取潜在论元;其次将潜在论元抽象为角色,结合语法、语义、角色特征构建嵌入表示,增强输入对事... 详细信息

针对触发词定义标准模糊、语料标注成本高等问题,提出一种基于事件模式及类型的事件检测深度学习模型(PTNN)。首先基于实体的语法及语义特征获取潜在论元;其次将潜在论元抽象为角色,结合语法、语义、角色特征构建嵌入表示,增强输入对事件模式的体现;最后利用Bi-LSTM和基于事件类型的注意力机制,完成事件及类型判定。模型在不识别触发词的前提下,通过强化事件模式特征实现事件检测,避免了触发词标注困难的问题,证明了事件模式在神经网络上对事件检测的积极作用,将同类方法的最优效果提升了3%,且达到了基于触发词的检测效果。

关键词：注意力机制事件检测事件模式长短时网络潜在论元

中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介

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半导体技术 2016年第10期41卷 799-799页

作者：刘小文中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,

关键词：中国电子科技集团公司半导体激光器研究所产品推介光纤激光器固态激光器近红外波段脉冲功率

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利

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半导体技术 2016年第10期41卷 735-735页

作者：高岭中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套... 详细信息

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法,

关键词：中国电子科技集团公司制备方法美国专利陶瓷材料研究所高韧性研发工作高性能陶瓷

两用户非正交多址接入的最优时延均衡和功率控制方法

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电子与信息学报 2019年第8期41卷 1902-1908页

作者：黄盛中国电子科技集团公司第十研究所

该文针对采用非正交多址接入(NOMA)技术的两用户单小区网络,考虑信道衰落的随机性和业务到达的动态性,以均衡用户排队时延并最大化网络总吞吐量为目标,构建了资源管理的随机优化问题。基于李雅普诺夫优化方法,推导了随机优化问题的最优... 详细信息

该文针对采用非正交多址接入(NOMA)技术的两用户单小区网络,考虑信道衰落的随机性和业务到达的动态性,以均衡用户排队时延并最大化网络总吞吐量为目标,构建了资源管理的随机优化问题。基于李雅普诺夫优化方法,推导了随机优化问题的最优解的闭式表达式,并提出一种低复杂度的联合时延均衡和功率控制的最优资源管理方法。对比了采用NOMA时的次优资源管理方法与采用时分多址接入方法时的最优资源管理方法,仿真结果表明所提方法能够显著提升网络性能。

关键词：非正交多址接入时延均衡功率控制

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Ka波段CMOS有源矢量合成移相器

微波学报 2023年

作者：刘帅中国电子科技集团公司第十研究所

本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交... 详细信息

本文基于65 nm硅基互补金属氧化物半导体工艺设计了一款Ka波段有源矢量合成移相器。该电路由正交耦合器、单端转差分信号的巴伦、可变增益放大器、信号合成网络组成。基于集总LC等效模型的正交发生器能够实现紧凑尺寸并获得高精度正交信号；可变增益放大器采用数字控制的共源共栅架构，能够实现精准的幅度调节，并提高输入输出之间的隔离度。实测结果表明，该移相器在25 GHz～32 GHz频带范围内实现360°移相，相位步进5.625°，RMS相位误差小于3°，寄生调幅RMS小于1 dB，电路面积为800 μm×400 μm，功耗11 mW。

关键词：互补金属氧化物半导体矢量合成移相器可变增益放大器共源共栅

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天基信息支援在超远程防空作战中的应用研究

现代防御技术 2024年

作者：刘科中国电子科技集团公司第十研究所

超远程防空致力于将来袭目标拒止于千里以外，需要打击链、指控链、情报链“三链”之间的密切配合。针对超远程防空这一改变战争规则的创新战法，本文首先剖析打击链、指控链和情报链的各个过程，提出天基信息直接支援模式，研究天基信... 详细信息

超远程防空致力于将来袭目标拒止于千里以外，需要打击链、指控链、情报链“三链”之间的密切配合。针对超远程防空这一改变战争规则的创新战法，本文首先剖析打击链、指控链和情报链的各个过程，提出天基信息直接支援模式，研究天基信息直接支援在超远程防空作战中的应用，对天基信息直接支援如何赋能打击链、指控链和情报链进行深入探讨，以期为未来超远程防空作战信息支持系统建设和发展提供参考和借鉴。

关键词：防空作战天基信息支援态势感知信息支持精确打击创新战法

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V波段宽带高效率功率合成放大器设计

电讯技术 2024年

作者：胡顺勇中国电子科技集团公司第十研究所

介绍了一种基于混合波导魔T的V波段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50GHz-75GHz频率范围内，平均电路损耗0.2dB，输入回波小于-... 详细信息

介绍了一种基于混合波导魔T的V波段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50GHz-75GHz频率范围内，平均电路损耗0.2dB，输入回波小于-20dB，隔离和输出回波小于-14dB，基于该电路结构，采用V波段宽带GaN功放芯片，研制了一种3.5W功率模块，以该功率模块为基本单元，并采用16路高效率功率分配/合成网络，研制出一款V波段宽带高效率功率合成放大器。实测在50GHz～75GHz的V波段全频段范围内，连续波饱和输出功率大于47dBm，小信号增益大于46dB，合成效率全频带内大于82%，在全频段实现了高效率合成和大功率输出。结果表明该电路结构紧凑、工作频带宽、合成效率高且便于散热，具有很好的工程应用价值。

关键词： V波段混合魔T 高效率功率合成

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一种超宽带硅基MEMS射频收发组件

固体电子学研究与进展 2023年第6期43卷 480-485页

作者：陆宇中国电子科技集团公司第十研究所成都610036

基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用系统级封装(SiP)技术,研制了一款覆盖C-Ka频段高密度集成的射频收发组件。组件集成了宽带功率放大器、宽带低噪声放大器、宽带I/Q混频器、宽带频率源等多个芯片。同层信号传输采用接地共面波导传... 详细信息

基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用系统级封装(SiP)技术,研制了一款覆盖C-Ka频段高密度集成的射频收发组件。组件集成了宽带功率放大器、宽带低噪声放大器、宽带I/Q混频器、宽带频率源等多个芯片。同层信号传输采用接地共面波导传输线,不同层间信号互联采用硅通孔形成的类同轴结构,实现了射频信号宽带低损耗传输;通过有源芯片硅基内微腔分离化设计和大量接地硅通孔,实现了射频信号间的隔离和屏蔽。实测结果表明:在6~30 GHz的频带内,SiP组件的发射功率≥36.2 dBm,发射增益≥34 dB;接收噪声系数≤2.4 dB,接收增益≥31 dB,体积仅为19.9 mm×19.9 mm×1.3 mm,实现了小型化和收/发/源一体化集成。

关键词：体硅MEMS工艺超宽带系统级封装收发组件

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任务性能约束下传感器协同辐射控制策略

系统工程与电子技术 2019年第8期41卷 1749-1754页

作者：赖作镁乔文昇古博王师逸中国电子科技集团公司第十研究所

传感器协同是作战飞机实现任务性能与射频(radio frequency,RF)隐身性能平衡的重要技术手段。针对传统引导搜索方法难以解决数据链的多拍信息引导搜索问题,采用概率方法,建立多拍连续引导信息与累积发现概率、累积被截获概率之间的关系... 详细信息

传感器协同是作战飞机实现任务性能与射频(radio frequency,RF)隐身性能平衡的重要技术手段。针对传统引导搜索方法难以解决数据链的多拍信息引导搜索问题,采用概率方法,建立多拍连续引导信息与累积发现概率、累积被截获概率之间的关系。针对基于协方差的线性规划协同跟踪方法的单步决策问题,开展基于跟踪精度与被跟踪定位精度的多步联合优化。引入马尔可夫决策过程对机载传感器协同搜索、协同跟踪的典型空战动态过程进行建模,实现任务性能约束下的雷达RF隐身性能优化。通过典型空战场景的仿真验证,表明所提出的优化控制策略相比于经验控制策略能够减少雷达辐射时间43%以上。

关键词：射频隐身传感器协同搜索传感器协同跟踪马尔可夫决策过程