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基片等离子处理对PTFE微波基板性能的影响

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塑料工业 2024年第2期52卷 54-59,78页

作者：金霞韩笑薛微婷冯春明冯贝贝中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

采用等离子处理对聚四氟乙烯(PTFE)基片进行表面处理,研究气体流量、放电功率、处理时间的变化对PTFE基片微观形貌和接触角的影响,进而研究对PTFE微波基板介质损耗、吸水率、剥离强度等综合性能的影响。实验结果表明,等离子体处理可以... 详细信息

采用等离子处理对聚四氟乙烯(PTFE)基片进行表面处理,研究气体流量、放电功率、处理时间的变化对PTFE基片微观形貌和接触角的影响,进而研究对PTFE微波基板介质损耗、吸水率、剥离强度等综合性能的影响。实验结果表明,等离子体处理可以有效增加基片表面粗糙度,降低PTFE基片的接触角,提高其表面能,使覆铜箔层压板的铜箔与介质层之间结合强度提升,制备的PTFE微波基板的剥离强度可接近未处理之前剥离强度的3倍。

关键词：等离子聚四氟乙烯微波基板接触角介质损耗吸水率剥离强度

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运动台结构刚度及接触形式动态性能优化

电子工业专用设备 2024年第3期53卷 64-67页

作者：杨师王月鹏李龙飞赵宏宇陈沿宇中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

介绍了运动台结构刚度优化的目的与思路,根据仿真结果对几种结构优化形式的预期效果进行判断,并结合整机需求完成定型及设计结果测试,通过实践闭环了仿真模型;根据运动台断开与连接整机重复性需求,设计改型了运动台与整机接触形式,并通... 详细信息

介绍了运动台结构刚度优化的目的与思路,根据仿真结果对几种结构优化形式的预期效果进行判断,并结合整机需求完成定型及设计结果测试,通过实践闭环了仿真模型;根据运动台断开与连接整机重复性需求,设计改型了运动台与整机接触形式,并通过机械加速度传递函数测试进行了验证,保证了幅值裕度与相位裕度在较小范围内时,同样实现稳定控制。

关键词：精密设备刚度振动控制

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磁浮平面电机在超精密工件台中的应用

电子工业专用设备 2024年第3期53卷 68-71页

作者：王伟王文举张继静中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

为了提高半导体设备生产效率和整机性能,设备制造商想尽各种办法。介绍了超精密工件台三维模型,以及磁浮平面电机原理、组成、特性、技术指标与应用前景。同时阐述了超精密工件台采用磁浮平面电机,具有结构简单、高速度和高加速度、高... 详细信息

为了提高半导体设备生产效率和整机性能,设备制造商想尽各种办法。介绍了超精密工件台三维模型,以及磁浮平面电机原理、组成、特性、技术指标与应用前景。同时阐述了超精密工件台采用磁浮平面电机,具有结构简单、高速度和高加速度、高精度、以及无污染产生等优点,使得它不但能够满足目前半导体设备技术发展的需求,也能满足未来半导体设备技术发展的需求。

关键词：半导体设备超精密工件台磁浮平面电机双工件台

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自动检测设备高温下测试坐标修正方法

电子工艺技术 2024年第1期45卷 51-55页

作者：左宁袁丽娟胡奇威霍鑫中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

硅晶圆半导体芯片在进行晶圆级电性能测量时,往往需要模拟芯片实际工作时的工作环境,如温度、湿度、气压。在自动探针台上进行高温环境模拟测试时,由于高温会导致测针、晶圆片和承片卡盘产生一定程度的形变,从而使得芯片上测试Pad位置... 详细信息

硅晶圆半导体芯片在进行晶圆级电性能测量时,往往需要模拟芯片实际工作时的工作环境,如温度、湿度、气压。在自动探针台上进行高温环境模拟测试时,由于高温会导致测针、晶圆片和承片卡盘产生一定程度的形变,从而使得芯片上测试Pad位置坐标发生偏移,这种情况下,测试系统需要对形变后的测试点坐标进行修正。提出了一种基于机器视觉自动图形识别的在线修正测试点坐标偏移方法,用以解决自动探针台在高温环境下进行电性能测试时的测试坐标修正难题。

关键词：探针测试系统坐标修正高温形变

石英纤维含量对聚四氟乙烯基高介微波复合介质基板性能的影响

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高分子材料科学与工程 2019年第11期35卷 82-87页

作者：张立欣王丽婧张伟武聪庞子博中国电子科技集团公司第四十六研究所

采用聚四氟乙烯(PTFE)树脂为基体,高介电陶瓷粉为填料,石英纤维作为增强材料,通过压延成型、热压烧结制备出高性能基板。扫描电镜(SEM)、热膨胀系数、力学性能测试结果表明经过压延工艺后,纤维主要沿X-Y平面分布,且随着纤维含量的提高,... 详细信息

采用聚四氟乙烯(PTFE)树脂为基体,高介电陶瓷粉为填料,石英纤维作为增强材料,通过压延成型、热压烧结制备出高性能基板。扫描电镜(SEM)、热膨胀系数、力学性能测试结果表明经过压延工艺后,纤维主要沿X-Y平面分布,且随着纤维含量的提高,复合材料X/Y轴热膨胀系数和拉伸强度得到改善。而SEM、致密度和吸水率性能测试表明随着纤维含量的提高,PTFE-纤维-陶瓷粉构成的三相界面中出现空隙,导致复合材料密度降低、吸水率升高、损耗升高。当纤维含量为3%时,复合材料综合性能最佳,介电常数和介质损耗分别达到10.29和0.0026,吸水率达到0.052%,X/Y/Z轴平面热膨胀系数(CTE)为0.0261‰/0.0278‰/0.0394‰/℃,拉伸强度达到11.80 MPa。

关键词：聚四氟乙烯微波复合介质基板石英纤维热膨胀系数

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减振系统的研究现状与发展趋势

电子工业专用设备 2024年第3期53卷 1-3,19页

作者：关宏武王浩楠中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

减振系统在工程中的广泛应用,按照减振方式分为被动减振、半主动减振和主动减振,对3种减振方式的原理和适用场景进行详细描述。通过对比分析,主动减振系统结合传感器、执行器和控制算法,具有更优越的减振效果和更广泛的适用性。

关键词：减振系统刚度阻尼

基于EtherCAT现场总线的物料传输控制系统

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电子工业专用设备 2022年第5期51卷 47-52页

作者：孙敏符瑶谭立杰中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

基于EtherCAT现场总线的运动控制器,设计了一种物料传输多轴运动控制系统,采用经典的PID运动控制算法和模糊自适应PID控制算法,实现了物料的高精度传输和交换。

关键词： EtherCAT现场总线控制系统架构多轴运动控制系统

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大景深显微镜的实现方式

电子工业专用设备 2024年第3期53卷 33-36,63页

作者：刘冰鑫李康平周占福中国电子科技集团公司第四十五研究所北京100176

大景深显微镜能够在不同焦平面上获取清晰的图像,为晶圆的对准提供了强大的支持。为了扩展景深,研究人员提出了多种技术,包括缩小系统孔径、波前编码和光学切趾等。提出了一种扩展景深的新方法,即双焦点物镜对准,该方法操作简单直观,并... 详细信息

大景深显微镜能够在不同焦平面上获取清晰的图像,为晶圆的对准提供了强大的支持。为了扩展景深,研究人员提出了多种技术,包括缩小系统孔径、波前编码和光学切趾等。提出了一种扩展景深的新方法,即双焦点物镜对准,该方法操作简单直观,并且可以直接采集对准标记来实现对准,从而极大地提高了对准的准确性和效率。这些技术和方法为大景深显微镜的后续研究奠定了坚实的基础。

关键词：集成电路制造显微镜大景深双焦点物镜对准

重掺硅片表面APCVD法生长SiO薄膜的致密性

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半导体技术 2024年

作者：史延爽王浩铭田原张旭武永超中国电子科技集团公司第四十六研究所

在硅片加工过程中，金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流，甚至直接导致pn结禁带宽度变窄，为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象，通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 ... 详细信息

在硅片加工过程中，金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流，甚至直接导致pn结禁带宽度变窄，为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象，通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO2薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO2薄膜，首先研究不同沉积温度、SiH4和O2的体积流量比对沉积速率和SiO2薄膜致密性的影响，进一步探究了不同退火温度对SiO2薄膜致密性的影响，以期获得致密性较高的SiO2薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性，采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO2薄膜的表面形貌，采用F50膜厚测试仪测试SiO2薄膜的厚度。结果表明，沉积温度为400 ℃，SiH4和O2的体积流量比为1:10，退火温度为1 100 ℃时，制备出的SiO2薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。

关键词：常压化学气相沉积(APCVD)法 SiO 薄膜致密性自掺杂沉积速率