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努力构建自主创新体系推进创建一流强所进程——访中国电子科技集团公司第五十四研究所首席专家、副总工程师王昌宝

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中国军转民 2006年第7期 37-38页

作者：王永刚田广兴王昌宝中国电子科技集团公司第五十四研究所

以增强自主创新能力,建设创新型国家为主题的《国家中长期科学和技术发展规划纲要》发布后,五十四所迅速掀起了加强科技创新,促进专业发展的热潮.到底五十四所怎样进行自主创新,应注意哪些问题,如何构建创新体系?为此,笔者专门采访了五... 详细信息

以增强自主创新能力,建设创新型国家为主题的《国家中长期科学和技术发展规划纲要》发布后,五十四所迅速掀起了加强科技创新,促进专业发展的热潮.到底五十四所怎样进行自主创新,应注意哪些问题,如何构建创新体系?为此,笔者专门采访了五十四所首席专家、副总工程师王昌宝.

关键词：自主创新体系中国电子科技集团公司副总工程师专家研究所进程自主创新能力发展规划纲要科技创新专业发展

国难当头,我们有责!——中国电子科技集团公司第三十八研究所参与抗震救灾纪实

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安徽科技 2008年第6期 7-8页

作者：王新鸣中国电子科技集团公司第三十八研究所

卫星通讯、雷达值守、爱心捐款……汶川8.0级大地震发生后,中国电子科技集团公司第三十八研究所一方面主动利用自身研发的高新技术,为抗震救灾提供支持;另一方面发动全体党员、员工进行捐助,向灾区人民献出爱心,用智慧和真情诠释了自身... 详细信息

卫星通讯、雷达值守、爱心捐款……汶川8.0级大地震发生后,中国电子科技集团公司第三十八研究所一方面主动利用自身研发的高新技术,为抗震救灾提供支持;另一方面发动全体党员、员工进行捐助,向灾区人民献出爱心,用智慧和真情诠释了自身的国家使命感和社会责任感。

关键词：中国电子科技集团公司抗震救灾研究所社会责任感卫星通讯高新技术大地震

共源共栅结构GaN HEMT器件高能质子辐射效应

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强激光与粒子束 2025年第2期37卷 122-129页

作者：邱一武董磊殷亚楠周昕杰中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV... 详细信息

针对增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件,利用5 MeV、60 MeV和300 MeV质子进行注量为2×10^(12)~1×10^(14) cm^(-2)的辐照实验,研究高能质子辐照后器件电学性能的退化规律和损伤机制。实验发现,注量为2×10^(12) cm^(-2)的5 MeV质子辐照后,器件阈值电压明显减小,跨导峰位负漂且峰值跨导减小,饱和漏极电流显著增加,栅泄露电流无明显变化,当辐照注量达到1×10^(13)cm^(-2)后,电学性能退化受到抑制并趋于饱和。分析认为Cascode结构GaN HEMT器件内部级联硅基MOS管的存在是导致辐照后阈值电压负漂和漏极电流增大的内在原因。结合低频噪声测试分析,发现质子辐照注量越高,器件噪声功率谱密度越大,表明辐照引入的缺陷就越多,辐照损伤越严重。与60 MeV和300 MeV质子辐照结果相比,5 MeV质子辐照后器件电学特性退化最为严重。利用SRIM仿真得到GaN材料受到质子辐照后产生的空位情况,结果显示质子入射能量越低,产生的空位数量越多(镓空位VGa占主导),器件电学特性退化就越显著。

关键词：增强型GaN HEMT器件质子辐照电学特性低频噪声 SRIM仿真

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运放失调电压的激光修调测试

现代电子技术 2025年第06期 113-117页

作者：李灿程法勇郭晓宇王建超韩先虎中国电子科技集团公司第五十八研究所

目前高精度运算放大器的应用愈发普及，由于集成电路制造工艺的限制，运算放大器的输入级晶体管和负载电阻无法做到完全匹配，因此需要通过修调方式提高运放输入级的匹配度，以此减小失调电压。文中介绍了运放失调电压的定义和产生的原... 详细信息

目前高精度运算放大器的应用愈发普及，由于集成电路制造工艺的限制，运算放大器的输入级晶体管和负载电阻无法做到完全匹配，因此需要通过修调方式提高运放输入级的匹配度，以此减小失调电压。文中介绍了运放失调电压的定义和产生的原因，分析了失调电压的测试方法，并对常用的失调电压修调方法进行了介绍和对比，总结了激光修调的优点。然后分析失调电压激光修调的原理，同时基于激光修调常用的几种切割方式，选择帽型电阻双线切割方式。为了达到更高的精度和良品率，提出了一种在线激光修调方法，最终通过测试数据对比分析，验证了在线激光修调的优越性。

关键词：运算放大器失调电压激光修调自动测试系统集成电路制造工艺

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硅桥芯片嵌入式高密度有机基板制备技术

半导体技术 2025年第2期50卷 194-200页

作者：袁渊孟德喜田爽刘书利王刚中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板... 详细信息

基于硅桥芯片互连的异构集成技术可以有效提高芯粒间局域互连密度,满足高性能计算对芯粒间高密度互连日益增长的需求。提出了一种硅桥芯片嵌入式高密度有机基板的制备技术,介绍了嵌入式基板封装结构设计和关键工艺,并建立了嵌入式基板结构仿真模型,对不同温度下应力分布进行了分析,通过可靠性试验重点检测了内嵌芯片边角。结果表明嵌入式基板制备工艺具有较好的可行性,可为硅桥芯片嵌入式高密度有机基板技术在国内的研究提供参考。

关键词：芯粒异构集成局域互连硅桥嵌入式基板

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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器

现代电子技术 2025年第2期48卷 14-20页

作者：张斌蒋颖丹权帅超汪柏康孙莎莎秦战明孙文俊中国电子科技集团第五十八研究所江苏无锡214035

为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 详细信息

为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。

关键词：驱动放大器宽带射频 SiGe工艺温度补偿共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦异质结双极晶体管

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基于SIP的FPGA驱动电压补偿测试研究

现代电子技术 2025年第4期48卷 30-33页

作者：黄健陈诚王建超李岱林杜晓冬中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

在基于SIP的现场可编程门阵列(FPGA)性能参数验证测试时,驱动电压测试会受到多种因素的影响,如PCB线阻、插座信号损耗以及测试温度等,这些因素导致ATE测试的实测值与真实值之间存在偏差。为了提高驱动电压的测试精度,提出一种基于卷积... 详细信息

在基于SIP的现场可编程门阵列(FPGA)性能参数验证测试时,驱动电压测试会受到多种因素的影响,如PCB线阻、插座信号损耗以及测试温度等,这些因素导致ATE测试的实测值与真实值之间存在偏差。为了提高驱动电压的测试精度,提出一种基于卷积神经网络(CNN)与长短时记忆(LSTM)网络的误差补偿方法。将PCB线长、测试温度等参数作为特征输入到CNN-LSTM模型中,模型经过训练迭代后能够预测出驱动电压的误差值;再将预测的误差值应用于ATE测试机中,对实测值进行补偿和修正,从而使得测试结果更加接近真实值。实验结果表明,所提方法能够有效地减小测试误差,提高FPGA驱动电压测试的准确性。

关键词：驱动电压测试误差补偿系统级封装(SIP)技术现场可编程门阵列卷积神经网络长短时记忆网络

勇攀国防科技高峰的带头人——记中国电子科技集团公司第五十四研究所所长周希元

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中国工运 2003年第3期 39-39页

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一种用于高性能FPGA的多功能I/O电路

半导体技术 2025年第03期 265-272页

作者：罗旸刘波曹正州谢达张艳飞单悦尔中国电子科技集团公司第五十八研究所航天新气象科技有限公司

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列(FPGA)的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出(I/O)电路，工作电压为0.95 V,单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同... 详细信息

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列(FPGA)的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出(I/O)电路，工作电压为0.95 V,单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同一边沿流水技术的双倍数据速率(DDR)电路，可以使数据不仅能在相同的时钟沿输出，而且能在同一个时钟周期输出。通过分级采样结合时钟分频和偏移技术，仅需4个时钟周期即可完成8∶1数据的转换。另外，该I/O电路还可以对数据输入输出的延时进行调节，采用粗调和细调相结合的方式，共提供512个延时抽头，并且延时的分辨率达到4 ps。仿真和实测结果表明，该多功能I/O电路能为高性能FPGA提供灵活、多协议的高速数据传输功能。

关键词：现场可编程门阵列(FPGA) 输入输出(I/O)电路多电平标准双倍数据速率(DDR) 串并转换器(SerDes)