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表面粗糙度光纤传感器研究

光子学报 1995年第2期24卷 148-151页

作者：周书铨上海科技大学物理系

基于光在粗糙表面的散射原理，利用时间延迟技术，设计了一种快速、非接触测量表面粗糙度的光纤传感器。与同类传感器相比，成本低，系统误差小。

关键词：表面粗糙度光纤传感器

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转角石墨烯体系的拓扑特性和轨道磁性

物理学报 2020年第14期69卷 10-22页

作者：刘健鹏戴希上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 香港科技大学物理系中国香港

本文介绍了转角双层石墨烯和多层石墨烯中的电子结构、拓扑性质以及轨道磁性.在转角双层石墨烯中,由于两层石墨烯之间的相对旋转会形成具有长周期的摩尔条纹.由转角产生的摩尔势场会在摩尔超元胞中产生方向相反的赝磁场,与两层的石墨烯... 详细信息

本文介绍了转角双层石墨烯和多层石墨烯中的电子结构、拓扑性质以及轨道磁性.在转角双层石墨烯中,由于两层石墨烯之间的相对旋转会形成具有长周期的摩尔条纹.由转角产生的摩尔势场会在摩尔超元胞中产生方向相反的赝磁场,与两层的石墨烯中的狄拉克电子耦合,从而产生赝朗道能级.而魔角石墨烯中的每个谷和自旋自由度的两条平带就等价于两个具有相反陈数的零赝朗道能级.这样的赝朗道能级表示可以很自然地解释一系列"魔角"的来源,也对理解魔角双层石墨烯中观测到的关联绝缘态和量子反常霍尔效应具有重要意义.本文进一步讨论了转角多层石墨烯,并发现转角多层石墨烯体系中普遍存在具有非平庸拓扑性质的平带.这些拓扑平带通常具有非零的谷陈数,并且在一定近似下可以由一个普适的规律描述.本文还讨论了转角石墨烯体系中的拓扑平带所具有的轨道磁性.如果时间反演对称性自发破缺,转角石墨烯体系会处于一个谷极化的基态.这样的谷极化基态是一个在摩尔尺度上的轨道磁性态,在摩尔超胞中具有纳米尺度的环状电流分布.之前的理论提出在转角双层石墨烯体系中观测到的关联绝缘态的本质就是一种净磁矩为零的"摩尔轨道反铁磁态".当体系的C2z对称性被氮化硼衬底破坏时,转角石墨烯中的谷极化基态则变成了一种"摩尔轨道铁磁态",它不仅具有(量子)反常霍尔效应,也具有新奇的磁光效应和非线性光学响应.

关键词：转角石墨烯能带拓扑轨道磁性

掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究

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固体电子学研究与进展 1990年第4期10卷 364-368页

作者：潘尧令王云珍王济身上海科技大学分部技术物理系华东师范大学电子科学技术系

本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中... 详细信息

本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中的含氧量对再结晶过程具有抑制作用.

关键词：掺氧多晶硅薄膜结晶学硅

准二维范德瓦耳斯磁性半导体CrSiTe3的THz光谱

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物理学报 2020年第20期69卷 96-104页

作者：索鹏夏威张文杰朱晓青国家嘉傅吉波林贤郭艳峰马国宏上海大学物理系上海200444 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 上海科技大学-上海光机所超强超快联合实验室上海201210

准二维范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe3同时具有本征磁性与半导体能带结构,在光电子学和纳米自旋电子学领域中具有广泛的应用,近年来吸引了广大科研工作者的兴趣.利用超快太赫兹光谱技术,本文对准二维范德瓦耳斯铁磁半导体CrSiTe3进行了系统... 详细信息

准二维范德瓦耳斯磁性材料CrSiTe3同时具有本征磁性与半导体能带结构,在光电子学和纳米自旋电子学领域中具有广泛的应用,近年来吸引了广大科研工作者的兴趣.利用超快太赫兹光谱技术,本文对准二维范德瓦耳斯铁磁半导体CrSiTe3进行了系统的研究,包括太赫兹时域光谱,光抽运-太赫兹探测光谱及太赫兹发射光谱.实验结果表明,样品的太赫兹电导率随温度的变化表现得十分稳定,且样品ab面对太赫兹波的响应呈现为各向同性;800 nm光抽运后的光生载流子表现为一种双指数形式的弛豫变化,复光电导率可以用Drude-Smith模型很好地拟合,光载流子的弛豫过程由电子-空穴对的复合所主导;飞秒脉冲入射到样品表面后可以产生太赫兹辐射,且具有0—2 THz的带宽.本文给出了CrSiTe3在光学及太赫兹波段的光谱,为其在电子及光电子器件方面的设计和优化提供了借鉴与参考.

关键词：范德瓦耳斯铁磁半导体太赫兹光谱时间分辨光谱

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远红外自由电子激光器和螺旋电流扭轨磁体

光学学报 1995年第4期15卷 385-391页

作者：严祖祺阮可妃吴焱上海科技大学物理系

报道了作者近年来在美国斯坦福大学直接参与合作研制的１００μｍ～１０００μｍ可调谐远红外自由电子激光器概况，以及研制过程中所运用的独创的新技术。文中对它的主要部件扭轨（Ｗｉｇｇｌｅｒ）磁体的新型设计和磁场特性进行了深入... 详细信息

报道了作者近年来在美国斯坦福大学直接参与合作研制的１００μｍ～１０００μｍ可调谐远红外自由电子激光器概况，以及研制过程中所运用的独创的新技术。文中对它的主要部件扭轨（Ｗｉｇｇｌｅｒ）磁体的新型设计和磁场特性进行了深入的分析和研究。

关键词：自由电子激光器扭轨磁体远红外螺旋电流

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)的THz光谱

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物理学报 2022年第23期71卷 374-380页

作者：王晨夏威索鹏王伟林贤郭艳峰马国宏上海大学物理系上海200444 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 上海科技大学-上海光机所超强超快联合实验室上海201210

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe_(3)间接带隙的大小,并采用超快太赫... 详细信息

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe_(3)间接带隙的大小,并采用超快太赫兹光谱(太赫兹时域光谱和光泵浦-太赫兹探测光谱)研究了准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe_(3)的相关性质.结果表明,准二维CrGeTe_(3)的间接带隙大小为0.38 eV;在1 THz附近的折射率约为3.2,吸收系数约为380 cm^(-1);780 nm激光泵浦后的光载流子符合双指数弛豫过程,存在快慢两个寿命,由电子-空穴对的复合主导,复光电导率的Drude-Smith模型拟合展示了微观系统的相关参量随时间的演化.本文主要展示了CrGeTe_(3)在太赫兹波段的光谱及其相关性质,对光电子学等领域的研究具有借鉴意义.

关键词：范德瓦耳斯铁磁半导体时间分辨光谱太赫兹光谱

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莫尔石墨烯体系的新奇电学性质

物理学报 2023年第6期72卷 246-267页

作者：张世豪解博彭然刘晓迁吕昕刘健鹏上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 上海科技大学拓扑物理实验室上海201210

讨论了转角双层石墨烯、转角多层石墨烯以及石墨烯-绝缘态异质结等体系中的电子结构、拓扑性质、关联物态、非线性光学响应、声子特征以及电声耦合效应等新奇物态和物性.首先讨论了在转角石墨烯体系中普遍存在的拓扑非平庸的平带和轨道... 详细信息

讨论了转角双层石墨烯、转角多层石墨烯以及石墨烯-绝缘态异质结等体系中的电子结构、拓扑性质、关联物态、非线性光学响应、声子特征以及电声耦合效应等新奇物态和物性.首先讨论了在转角石墨烯体系中普遍存在的拓扑非平庸的平带和轨道铁磁性.其中,魔角双层石墨烯中的拓扑平带可以从零赝朗道能级的图像去理解.该图像可以很简明地解释实验上观测到的量子反常霍尔效应、关联绝缘态等新奇现象.这些拓扑平带也可以带来接近量子化的拓扑压电响应,可以用来定量地测量莫尔石墨烯中平带的谷陈数.转角多层石墨烯和交错转角多层石墨烯体系也存在一些普适的手性分解规则,可快速判断这类转角石墨烯体系中低能电子结构特征.然后进一步讨论了魔角双层石墨烯和转角多层石墨烯中的关联绝缘态、密度波态、向列序态以及单粒子激发谱的级联转变等新奇物性,并提出非线性光学响应可以当作区分各类“无特征”关联绝缘态的实验探针.其次讨论了转角双层石墨烯体系的莫尔声子性质以及非平庸的电声耦合效应.最后,讨论了能带对齐的石墨烯和绝缘衬底形成的异质结体系中的新奇物理图景,并对二维材料莫尔异质结体系中的新奇物性做了总结和展望.

关键词：莫尔石墨烯异质结拓扑物理关联物态莫尔声子压电响应非线性光学响应

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APPLEⅡ内外存储扩充技术和提高运行速度方法研究及实例分析

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计算机应用研究 1990年第1期7卷 58-61页

作者：沈欣赵正德上海科技大学分部

本文从软、硬件出发,深入剖析了APPLEⅡ的内外存储和分配技术,提出了节省内外存储空间的开支、加快系统的运行速度的一系列措施,以达到相对扩充存储量和提高工作效率的目的。

关键词：微机内存外存存储扩充

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三漏CMOS磁敏器件

传感技术学报 1990年第4期3卷 51-54页

作者：汪东旭上海科技大学分部

采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用... 详细信息

采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件.

关键词：磁敏器件三漏霍尔元件场效应晶体管差分放大器矩形结构沟道长度导电层负载电阻单端输出