掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究
Crystallographic Study of Polysilicon Doped with Oxygens作者机构：上海科技大学分部技术物理系 华东师范大学电子科学技术系
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1990年第10卷第4期
页 面：364-368页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中的含氧量对再结晶过程具有抑制作用.
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