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退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁性能的影响

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功能材料 2000年第3期31卷 252-254页

作者：周勇赵小林章吉良周狄上海交通大学信息存储研究中心国家教委薄膜与微细技术部门开放实验室上海200030

详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄... 详细信息

详细研究了退火效应对非晶TbFeCo薄膜磁滞回线的影响。 10 0℃退火表明 ,薄膜保留较大的垂直磁各向异性、矫顽力和很好的矩形比 ,磁致伸缩各向异性是引起矫顽力下降的主要原因。经 13 0℃退火显示 ,矫顽力和垂直磁各向异性明显下降 ,薄膜仍展示垂直于膜面的矫顽力和磁滞回线 ,但是薄膜显示一清晰的平面内磁各向异性。实验表明 ,矫顽力和垂直磁各向异性的大大降低只是与退火温度的升高有关 ,而长时间的退火并不能有效影响薄膜的磁性和矫顽力。

关键词：非晶TbFeCo薄膜退火效应磁滞回线磁各向异性

铁磁层/导电层/铁磁层多层膜中巨磁阻抗效应理论

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功能材料 2001年第2期32卷 129-131页

作者：禹金强周勇蔡炳初徐东上海交通大学信息存储研究中心国家教委薄膜与微细技术部门开放实验室上海200030

采用经典电磁理论，对铁磁层／导电层／铁磁层（Ｍ／Ｃ／Ｍ）多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜，理论计算结果表明：高频阻抗在某一外加磁场（近似等于等效各向异性场）下出现最大值，铁磁层和... 详细信息

采用经典电磁理论，对铁磁层／导电层／铁磁层（Ｍ／Ｃ／Ｍ）多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析。对于单轴横向磁各向异性多层膜，理论计算结果表明：高频阻抗在某一外加磁场（近似等于等效各向异性场）下出现最大值，铁磁层和导电层电阻率相差较大的多层膜中将出现较强的巨磁阻抗效应。多层膜在１ＭＨｚ附近即可出现远大于单层膜的阻抗变化比。多层膜理论计算与实验结果能够较好地符合。

关键词：巨磁阻抗效应多层膜横向磁各向异性

模数≤0.06mm的微行星齿轮减速器的CAD/CAM技术

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机械设计 2000年第12期17卷 14-16页

作者：张卫平陈文元范志荣徐正福上海交通大学信息存储研究中心薄膜与微细加工国家教委开放实验室上海200030

微机电系统 (MEMS)是近年来兴起的一门新兴技术 ,微行星齿轮减速器是微机电系统中的重要器件。在模数≤ 0 .0 6mm的微行星齿轮减速器的研制中 ,引入CAD/CAM技术。

关键词：微行星齿轮减速器 CAD CAM

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碰摩微转子系统非线性动力特性研究

机械强度 2006年第4期28卷 475-479页

作者：张文明孟光周健斌陈迪冯建智上海交通大学振动冲击噪声国家重点实验室上海200030 上海交通大学信息存储中心薄膜与微细技术开放实验室上海200030

微型旋转机械是MEMS(micro-electro-mechanical system)中的主要驱动之一,微转子作为系统的主要驱动部件,其动力学特性直接影响整个系统的稳定性和可靠性。文中以Jeffcott微转子系统为研究对象,建立微转子系统的碰摩力学模型和系动微分... 详细信息

微型旋转机械是MEMS(micro-electro-mechanical system)中的主要驱动之一,微转子作为系统的主要驱动部件,其动力学特性直接影响整个系统的稳定性和可靠性。文中以Jeffcott微转子系统为研究对象,建立微转子系统的碰摩力学模型和系动微分方程,应用现代非线性和转子动力学理论,以偏心量为分岔参数分析微转子碰摩时的振动响应与非线性动力特性,并以实验结果讨论偏心量对微转子系统动力特性的影响。

关键词：微机电系统微转子碰摩分岔

近邻软磁层偏置磁阻磁头结构参数设计的数学模型

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真空科学与技术 1999年第3期19卷 182-187页

作者：周勇赵小林蔡炳初章吉良上海交通大学信息存储研究中心和国家教委薄膜与微细加工技术部门开放实验室上海200030

概述了软磁层偏置磁阻磁头的工作原理和特点 ,采用传输线模型对其工作点的选取和结构参数进行了初步设计。

关键词：近邻软磁层偏置磁阻磁头结构参数设计

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镍钛合金形状记忆薄膜的化学刻蚀

微细加工技术 1999年第3期 20-26页

作者：丁桂甫徐东赵小林张寿柏蔡炳初沈天慧上海交通大学信息存储研究中心薄膜与微细加工开放实验室上海200030

镍钛合金形状记忆薄膜的图形化技术曾是其实用化的主要障碍之一，现在，一种工作性能优越的化学刻蚀液可以实现薄膜的高精度图形化，该刻蚀液常温工作，性能稳定，刻蚀速率在１～５微米／分之间均可得到满意的刻蚀线条。常规制作的光... 详细信息

镍钛合金形状记忆薄膜的图形化技术曾是其实用化的主要障碍之一，现在，一种工作性能优越的化学刻蚀液可以实现薄膜的高精度图形化，该刻蚀液常温工作，性能稳定，刻蚀速率在１～５微米／分之间均可得到满意的刻蚀线条。常规制作的光刻胶掩模在该刻蚀液中非常稳定。该刻蚀液用于溅射态的形状记忆合金薄膜可得到与掩模图形完全一致的刻蚀结果，刻蚀线条光滑平直，刻蚀系数大于１５。当用于热处理以后的薄膜时，刻蚀面有一定程度的粗糙化，只能用于刻蚀相对较粗的线条，这是热处理后薄膜中晶粒与晶界刻蚀速率不同所致。用该刻蚀液图形化的形状记忆合金薄膜驱动机构已成功用于微泵制造，所制作的微泵流量达到２００微升／分钟以上。

关键词：形状记忆合金薄膜化学刻蚀微驱动机构微泵

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O_(2)反应离子深刻蚀PMMA

微细加工技术 2000年第3期 39-43页

作者：俞爱斌丁桂甫杨春生郭晓芸李昌敏毛海平倪智萍上海交通大学信息存储研究中心薄膜与微细加工开放实验室上海200030

高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板 ,对光刻胶的要求也不是特别高 ,利用这种技术深刻蚀PMMA膜 ,以Ni作掩... 详细信息

高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板 ,对光刻胶的要求也不是特别高 ,利用这种技术深刻蚀PMMA膜 ,以Ni作掩模 ,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ni掩模图形化 ,然后利用O2 RIE技术刻蚀PMMA ,可以得到深度达 1 0 0 μm ,深宽比大于 1 0的微结构 ,图形表面平整 ,侧壁光滑垂直。在刻蚀过程中 ,氧气压、刻蚀功率等工艺参数对刻蚀结果影响较大。

关键词：反应离子刻蚀高深宽比微结构 PMMA

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软磁薄膜高频巨磁阻抗效应的理论模型

真空科学与技术 2000年第1期20卷 22-25页

作者：禹金强周勇蔡炳初赵小林上海交通大学信息存储研究中心国家教委薄膜与微细技术部门开放实验室上海200030

利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理... 详细信息

利用修正的Landau Lifshitz Gilbert方程 ,对横向单轴磁各向异性软磁薄膜在高频下的有效横向磁导率做了理论推导 ,从而得到了关于薄膜高频阻抗的理论表达式 ,并与其它理论结果作了比较。结果表明 ,给出的有效横向磁导率表达式与其它理论结果一致。详细讨论了小尺寸薄膜中退磁场对共振频率的影响。

关键词：巨磁阻抗效应软磁薄膜横向磁导率共振频率

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基于公共网络的虚拟专用网探析

计算机应用研究 2000年第3期17卷 27-29页

作者：范志荣陈文元张卫平上海交通大学信息存储研究中心国家教委薄膜与微细技术部门开放实验室上海200030

虚拟专用网ＶＰＮ是一个新的网络热门技术；它可替代专线而利用公共网络进行网络互联；在减轻企业费用的同时还带来了数据安全性的保证．讨论了ＶＰＮ的分类、隧道技术和ＱｏＳ问题；并提出要充分利用我国的１６３／１６９等公共骨... 详细信息

虚拟专用网ＶＰＮ是一个新的网络热门技术；它可替代专线而利用公共网络进行网络互联；在减轻企业费用的同时还带来了数据安全性的保证．讨论了ＶＰＮ的分类、隧道技术和ＱｏＳ问题；并提出要充分利用我国的１６３／１６９等公共骨干网建设ＶＰＮ，同时，要注意加密算法安全方面的自主权。

关键词： VPN QoS 虚拟专用网公共网络