不同结构多层膜中巨磁阻抗效应的研究

作     者：禹金强 周勇 蔡炳初 赵小林 

作者机构：上海交通大学信息存储研究中心国家教委薄膜与微细技术部门开放实验室上海200030 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2001年第32卷第2期

页      面：136-138页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：多层膜 巨磁阻抗效应 研究 结构 

摘      要：研究了封闭式和开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜以及Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中的巨磁阻抗效应。实验结果表明：多层膜的不同结构对巨磁阻抗效应影响很大。改变外加磁场，封闭式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜中阻抗变化最大，开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜次之，而Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中阻抗几乎不变。三组多层膜中不同的阻抗特征可用多层膜的具体结构解释：在封闭式多层膜内，磁路形成密封结构，使泄漏到多层膜外面空间的磁通大大减少；在 Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ多层膜中，上下两铜层在铁磁薄膜内产生的总磁场近似为零，外加磁场的改变不能引起其阻抗发生变化。对于封闭式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜，在１００ｋＨｚ到１ＭＨｚ时就能够出现较大的阻抗变化比值，最大阻抗变化比值出现在３ＭＨｚ。开放式ＦｅＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＳｉＢ多层膜阻抗特性与封闭式类似，但比值只是封闭式多层膜的１／３。