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CaAl2Si2O8∶Eu荧光粉发光性能及自还原现象的研究

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人工晶体学报 2018年第8期47卷 1637-1641,1646页

作者：靳天雨崔瑞瑞张弛邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

采用高温固相法制备了Ca(1-x)Al2Si2O8∶x Eu2+(x=0.005,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10,0.20)和加入过量SiO_2的Ca Al2Si2O8∶0.04Eu,x SiO_2(x=0,0.05,0.100,0.200,0.300)。利用X射线衍射(XRD)对样品的晶体结构进行了表征,利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了分析。XRD结果表明,所生成的Ca Al2Si2O8∶0.04Eu,x SiO_2样品除了因反应未完全的氧化铝杂质相外基本是纯相。Ca(1-x)Al2Si2O8∶x Eu2+样品的激发和发射光谱表明,随着掺杂浓度的增加会出现红移现象。当Eu2+的掺杂浓度为超过4mol%时,出现浓度猝灭。当在空气气氛下烧结时,样品出现现了自还原现象。当过量SiO_2的加入,Eu2+的发光强度会逐渐减弱,而Eu3+的发光强度会逐渐增强,SiO_2的过量添加可以抑制自还原现象的产生。

关键词： CaAl2Si2O8∶Eu2+/3+荧光粉高温固相法自还原 SiO2

La^(3+)、Nd^(3+)掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)纳米薄膜铁电和介电性能的优化（英文）

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硅酸盐学报 2016年第10期44卷 1471-1476页

作者：郭凯鑫何腾鹏孔汉东张荣芬贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子复合材料重点实验室贵阳550025 贵州大学阳明学院贵阳550025

采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)衬底上制备出Bi_4Ti_3O_(12)及其La^(3+)、Nd^(3+)掺杂系列铁电薄膜Bi3.5(La/Nd)_(0.5)Ti_3O_(12),并对其相组成、微观结构、铁电和介电性能进行了研究。X射线衍射谱和SEM综合显示,薄膜均匀、致密,呈随机取向的多晶钙钛矿结构。铁电和介电性能研究表明:其掺杂系列较未掺杂薄膜具有更优异的极化行为和矩形度(剩余极化强度Pr从9.35μC/cm2增至15.53和26.24μC/cm2)、更低的漏电流密度(从10-4 A/cm2降至10-6 A/cm2甚至10-9 A/cm2)和更高的介电常数,但同时介电损耗也逐渐增加(高频段时tanδ从0.02增至0.10和0.25)。

关键词：钛酸铋掺杂替代机理铁电性能介电性能

新型红色荧光粉NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu^(3＋)的制备及发光性质研究

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发光学报 2016年第3期37卷 274-279页

作者：吴冬妮崔瑞瑞龚新勇邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵州贵阳550025 贵州师范大学物理与电子科学学院贵州贵阳550001

采用高温固相法合成具有余辉性能的发光材料NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu^(3+)(x=0,0.5,1,1.5,2)。用X射线衍射(XRD)和荧光光谱对样品的晶体结构和发光特性进行表征。测试结果表明,在900℃下烧结8 h所合成的NaLa_(0.7)(MoO_4)_(2-x)(WO_4)_x∶0.3Eu^(3+)样品为纯相Na La(Mo O_4)_2,样品可被近紫外光393nm和蓝光462 nm有效激发,其发射主峰位于615 nm处,属于Eu3+的5D0-7F2跃迁。Na La_(0.7)(Mo O_4)_(2-x)-(WO_4)_x∶0.3Eu^(3+)的发光强度随着W6+浓度的增加而增大,当W6+掺杂量x=1时发光最强,而后随W6+掺杂浓度的增加出现浓度猝灭现象。通过计算得到样品在393 nm和462 nm激发下的色坐标,当W6+的掺杂量x=1时,样品的红光色纯度最好。

关键词：发光材料钼酸盐/钨酸盐稀土长余辉

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不同海拔下花椒叶片差异表达基因的结构变异

西南农业学报 2024年第7期37卷 1409-1419页

作者：杨明丽黄仙婍喻阳华王继玥缪明志贵阳学院生物与环境工程学院贵阳550005 贵州师范大学喀斯特研究院/国家喀斯特石漠化防治工程技术研究中心贵阳550005 贵州省中国科学院天然产物化学重点实验室贵阳550005

[目的]探明不同海拔梯度对花椒基因表达的影响,为研究花椒遗传多样性、代谢调控及适应不同海拔生境胁迫的分子机制提供依据。[方法]以贵州省贞丰县板贵乡不同海拔(1054、821和645 m)下的花椒叶为试验材料,采用转录组测序的生物信息学方... 详细信息

[目的]探明不同海拔梯度对花椒基因表达的影响,为研究花椒遗传多样性、代谢调控及适应不同海拔生境胁迫的分子机制提供依据。[方法]以贵州省贞丰县板贵乡不同海拔(1054、821和645 m)下的花椒叶为试验材料,采用转录组测序的生物信息学方法对其差异表达基因的可变剪接(AS)和SNP/InDel变异位点进行解析,挖掘花椒适应环境的新转录本。[结果]在3个不同海拔的花椒叶片中,有2619个基因发生了可变剪切事件,主要为外显子跳跃(Skipped exon,SE)和互斥外显子(Mutually exclusive exons,MXE)2种类型,其中SE最多,且在高海拔的对比组中发生可变剪接的数量显著增多;鉴定出748331个SNP和87402个InDel位点,SNP类型中转换种类高于颠换种类,在外显子区分布最多,达40.0%。InDel位点在内含子区分布最多,达28.6%;发掘出9363个新转录本,其中有5648个在7大数据库中被注释。KEGG代谢途径分析发现,花椒叶片发生可变剪接的功能基因主要参与代谢途径、次生代谢物的生物合成和辅助因子的生物合成途径;而新转录本的KEGG代谢途径主要富集于光合作用、苯丙素生物合成、异黄酮生物合成、类黄酮生物合成和萜类生物合成等通路。[结论]本研究丰富了对不同海拔条件下花椒基因结构变异的认识,为后续研究花椒遗传多样性、代谢调控及响应环境胁迫的分子机制奠定基础。

关键词：花椒差异表达基因可变剪接新转录本基因结构变异海拔

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Gd^(3+) 、Co^(3+)共掺杂铁酸铋薄膜多铁性增强及带隙调谐

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人工晶体学报 2021年第5期50卷 851-857页

作者：马国斌杨松徐蕾郭凯鑫王旭贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

多铁功能材料在现代生产生活中有举足轻重的作用。本文采用溶胶-凝胶法以硝酸铁、硝酸铋、硝酸钆、硝酸钴为原料,乙二醇甲醚为溶剂,柠檬酸作螯合剂制成前驱体溶液,通过旋涂法在Pt/Ti/SiO_(2)/Si及ITO衬底上合成Bi_(0.85)Gd_(0.15)Fe_(1-... 详细信息

多铁功能材料在现代生产生活中有举足轻重的作用。本文采用溶胶-凝胶法以硝酸铁、硝酸铋、硝酸钆、硝酸钴为原料,乙二醇甲醚为溶剂,柠檬酸作螯合剂制成前驱体溶液,通过旋涂法在Pt/Ti/SiO_(2)/Si及ITO衬底上合成Bi_(0.85)Gd_(0.15)Fe_(1-x)Co_(x)O_(3)(x=0,0.04,0.08,0.12)薄膜,研究了Gd^(3+)、Co^(3+)共掺杂对薄膜铁电性能、磁学性能及光学带隙的影响。XRD结果表明所有薄膜均呈(111)方向的菱形结构,SEM结果表明共掺杂可以细化晶粒。根据铁电性和漏电流测试分析结果可知在Co^(3+)掺杂量为8%时最大剩余极化值达到2P_(r)=15.71μC/cm^(2),所有样品的漏电流传导机制均为欧姆传导机制。根据磁学性能测试分析结果可知,共掺杂可以有效增强薄膜的饱和磁化强度,且在Co^(3+)掺杂量为8%时最大饱和磁化强度达到37.78 emu/cm^(3)。根据吸收光谱及Tauc公式拟合结果可知共掺杂可以有效减小薄膜的光学带隙且随着掺杂量的增加光学带隙逐渐减小,在Co^(3+)掺杂量为12%时光学带隙减小到1.96 eV。

关键词：溶胶凝胶铁酸铋铁电性能铁磁性能漏电流光学带隙

Ba2YAlO5∶Eu^3+,Na^+荧光粉的合成和光致发光性能研究

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人工晶体学报 2020年第12期49卷 2302-2307页

作者：段欢崔瑞瑞邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

本文采用高温固相法成功合成了一系列Ba2YAlO5∶0.2Eu^3+,x Na^+(x=0.01,0.03,0.05,0.10,0.20,0.30)荧光粉,研究了Eu^3+,Na^+掺杂对晶体结构的影响。使用扫描电子显微镜观察荧光材料的微观形貌,使用荧光光谱仪对荧光粉的激发和发射光学... 详细信息

本文采用高温固相法成功合成了一系列Ba2YAlO5∶0.2Eu^3+,x Na^+(x=0.01,0.03,0.05,0.10,0.20,0.30)荧光粉,研究了Eu^3+,Na^+掺杂对晶体结构的影响。使用扫描电子显微镜观察荧光材料的微观形貌,使用荧光光谱仪对荧光粉的激发和发射光学特性进行观测和分析,从理论上研究了浓度猝灭和能量传递现象。在613 nm监测波段下,激发光谱在270~290 nm处出现O 2-→Eu^3+电荷转移带,395 nm和465 nm处出现峰值,在465 nm处峰值最大,对应于7F 0→5D2跃迁。在465 nm监测波长下,观察到在613 nm处发射峰最强,对应于5D 0→7F2跃迁,钠离子最优掺杂浓度为x=0.03。通过理论计算得出基质中的能量传递在最近邻离子之间。对发光材料进行热稳定性测试和分析,计算得到热猝灭激活能的值为0.058 eV,计算出Ba2YAlO5∶0.2Eu^3+,0.03 Na^+荧光粉的色坐标位于(0.61,0.39),非常接近于国际照明委员会规定的标准色坐标(0.67,0.33)。

关键词：荧光粉高温固相光致发光浓度猝灭能量传递热稳定性色坐标

橙红色荧光粉Ca_(2)GdNbO_(6)∶Sm^(3+),Na^(+)的制备及发光性能

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人工晶体学报 2021年第12期50卷 2262-2268页

作者：张鑫崔瑞瑞袁高峰邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

为了研究Na^(+)掺杂对Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+)荧光粉发光性能的影响,本文采用高温固相反应法成功制备了一系列Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+),xNa^(+)(x=0.01、0.03、0.05、0.07、0.10;x为摩尔分数)荧光粉。XRD图谱和精修结果表明,Na^(+)成功掺入Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+)晶格。发光性能测试结果表明,Na^(+)的掺入提高了Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+)荧光粉的发光强度,其最佳掺杂浓度为5%。在406 nm波长激发下,荧光粉在602 nm(^(4)G_(5/2)→^(6)H_(7/2))处发射峰最强且发射出橙红光。浓度猝灭结果及热稳定性研究表明,Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+),0.05Na^(+)基质中能量传递主要发生在最近邻离子之间,荧光粉的热猝灭激活能为0.119 eV。该荧光粉的色坐标位于橙红色区域(0.5935,0.4047),与国际照明委员会规定的标准色坐标(0.666,0.333)接近,表明Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+),xNa^(+)荧光粉在白光LED领域具有潜在的应用前景。

关键词：橙红色荧光粉 Ca_(2)GdNbO_(6)∶0.03Sm^(3+),xNa^(+) 高温固相反应发光性能热稳定性白光LED

共掺杂LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料的制备及发光特性

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半导体光电 2018年第5期39卷 654-658页

作者：黄维超李绪诚崔瑞瑞龚新勇邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

采用高温固相反应法制备了Si^(4+)、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺杂的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa_5O_8∶Cr^(3+)光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射,主发... 详细信息

采用高温固相反应法制备了Si^(4+)、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺杂的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa_5O_8∶Cr^(3+)光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射,主发射峰位于717nm,来源于Cr^(3+)离子的2E→4A2特征跃迁,与未进行掺杂的样品相比,掺杂Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)余辉发光强度均得到增强,余辉性能显著改善。热释光测试结果表明,Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺入主要提高了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的陷阱浓度,且使得有效陷阱的数量增加,从而改善了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的余辉性能。

关键词：长余辉近红外掺杂陷阱

Ga0.8Fe1.2O3/Ba0.8Ca0.2Ti0.8Zr0.2O3复合薄膜的制备和铁电性能研究

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人工晶体学报 2020年第9期49卷 1599-1603页

作者：张伟张敏郭凯鑫崔瑞瑞邓朝勇贵州大学大数据与信息工程学院贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025

采用脉冲激光沉积工艺在(111)取向的SrTiO 3衬底上,制备了Ga0.8Fe1.2O3/Ba0.8Ca0.2Ti0.8Zr0.2O3层状复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),表征了样品薄膜的表面形貌及微观结构。从样品的XRD图谱可以看出,该复合薄膜的B... 详细信息

采用脉冲激光沉积工艺在(111)取向的SrTiO 3衬底上,制备了Ga0.8Fe1.2O3/Ba0.8Ca0.2Ti0.8Zr0.2O3层状复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),表征了样品薄膜的表面形貌及微观结构。从样品的XRD图谱可以看出,该复合薄膜的BCZT层呈(111)取向,而GFO层沿b轴自发极化,呈(0l0)取向。物性测试结果表明:GFO/BCZT复合薄膜表现出良好的电磁学特性,其剩余极化值P r=11.28μC/cm^2,饱和磁化强度Ms^49.17 emu/cm 3,同时该复合薄膜室温下最大磁电耦合系数αE可达28.38 mV/(cm·Oe)。这种无铅的磁电复合薄膜为传感器、换能器和多态存储器的潜在应用提供了新的思路。

关键词：多铁材料脉冲激光沉积磁电复合薄膜铁电性能磁电耦合