共掺杂LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料的制备及发光特性

作     者：黄维超 李绪诚 崔瑞瑞 龚新勇 邓朝勇 HUANG Weichao;LI Xucheng;CUI Ruirui;GONG Xinyong;DENG Chaoyong

作者机构：贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系贵州省电子功能复合材料特色重点实验室贵阳550025 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2018年第39卷第5期

页      面：654-658页

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(51462003 51762010 61321012 61751102) 贵州省科技计划项目(2014-7611 2015-7643 2015-7644) 贵州省教育厅自然科学基金项目(KY2013-193) 

主　　题：长余辉 近红外 掺杂 陷阱 

摘      要：采用高温固相反应法制备了Si^(4+)、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺杂的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa_5O_8∶Cr^(3+)光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射,主发射峰位于717nm,来源于Cr^(3+)离子的2E→4A2特征跃迁,与未进行掺杂的样品相比,掺杂Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)余辉发光强度均得到增强,余辉性能显著改善。热释光测试结果表明,Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺入主要提高了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的陷阱浓度,且使得有效陷阱的数量增加,从而改善了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的余辉性能。