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典型甚低频电磁波对辐射带高能电子的散射损失效应

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物理学报 2015年第6期64卷 406-413页

作者：罗旭东牛胜利左应红西北核技术研究所西安710024

辐射带中高能电子与空间甚低频电磁波由于波粒共振相互作用发生投掷角散射,进而沉降入稠密大气而损失.为研究甚低频电磁波对辐射带中高能电子的散射作用机制,本文基于准线性扩散理论,利用库仑作用和波粒共振相互作用扩散系数的物理模型... 详细信息

辐射带中高能电子与空间甚低频电磁波由于波粒共振相互作用发生投掷角散射,进而沉降入稠密大气而损失.为研究甚低频电磁波对辐射带中高能电子的散射作用机制,本文基于准线性扩散理论,利用库仑作用和波粒共振相互作用扩散系数的物理模型,得到了两组典型甚低频电磁波与高能电子波粒共振相互作用的赤道投掷角弹跳周期平均扩散系数,并分析了甚低频电磁波共振散射作用与大气库仑散射作用对不同磁壳及不同能量的辐射带电子扩散损失的影响规律.以磁壳参数L=2.2,能量E=0.5 Me V的辐射带电子作为算例,采用有限差分方法数值求解扩散方程,计算分析了电子单向通量和全向通量随时间的沉降损失演化规律.研究结果表明:当电子能量大于0.5 Me V,磁壳参数大于1.6时,甚低频电磁波的共振散射作用显著;随着磁壳参数或电子能量的增大,斜传播甚低频电磁波引起的高阶共振相互作用越来越大;电子全向通量近似随时间呈指数函数形式衰减.

关键词：辐射带波粒共振散射扩散系数甚低频电磁波

CMOS器件^(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

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物理学报 2006年第7期55卷 3546-3551页

作者：何宝平陈伟王桂珍西北核技术研究所西安710613

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2—9MeV质子对CC4... 详细信息

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2—9MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2—7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.

关键词： γ射线电子质子辐射损伤

基于物理信息神经网络的金属表面吸收率测量方法

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物理学报 2024年第9期73卷 145-152页

作者：方波浪武俊杰王晟吴振杰李天植张洋杨鹏翎王建国西北核技术研究所西安710024

漫反射金属吸收率的准确测量十分重要且比较困难.量热法可靠性较高,但是参数反演较为困难.为此,建立了一种物理信息神经网络方法.该方法通过神经网络拟合温度上升段曲线,进而获得吸收率.为了验证该方法,开展了数值仿真和实验研究.数值... 详细信息

漫反射金属吸收率的准确测量十分重要且比较困难.量热法可靠性较高,但是参数反演较为困难.为此,建立了一种物理信息神经网络方法.该方法通过神经网络拟合温度上升段曲线,进而获得吸收率.为了验证该方法,开展了数值仿真和实验研究.数值仿真结果表明,该方法适用于吸收率测量,抗干扰能力强,反演精度高,在0.05—0.2的吸收率范围内,最大误差为0.00092.实验以喷砂镀金铝板为被测对象,受表面粗糙度、镀金工艺等影响,这些样品的吸收率处于2%—10%之间,测量重复精度优于1%.基于物理信息神经网络的吸收率测量方法有望成为一种有力的金属表面吸收率测量方法.

关键词：测量方法和设备光学性能神经网络

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组合式Si-PIN 14 MeV中子探测器

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物理学报 2008年第1期57卷 82-87页

作者：张显鹏欧阳晓平张忠兵田耕陈彦丽李大海张小东西北核技术研究所西安710024

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理.这种组合的主要特点有:1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性;2)提高了... 详细信息

提出了一种在多片Si-PIN探测器中间用2mm厚的聚乙烯作为灵敏度增强介质,采用加法电路模式进行信号输出的组合式新型DT聚变中子(14MeV)探测技术原理.这种组合的主要特点有:1)大幅度提高了Si-PIN探测器的中子灵敏度和测量统计性;2)提高了探测器的n/γ分辨本领;3)在实现多个探测器信号相加的同时,组合探测器相对于单片探测器时间响应没有明显改变.从实验及理论上对组合探测器的14MeV中子及1.25MeVγ灵敏度、n/γ分辨,时间特性和测量统计性进行了研究.

关键词： Si PIN半导体探测器灵敏度 n γ分辨时间响应

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活性炭纤维动态吸附氙性能及氙脱附行为研究

无机材料学报 2006年第1期21卷 81-86页

作者：陈占营王旭辉王亚龙张海涛谢金川西北核技术研究所西安710024

研究了活性炭纤维(ACF)前处理及再生前后动态吸附氙的性能差异,重点研究了温度对氙脱附行为的影响．结果表明,前处理对活性炭纤维动态吸附氙的性能有较大影响,而再生处理对吸附性能的影响不大．高温加热氙的脱附效率>97％,但存在150℃... 详细信息

研究了活性炭纤维(ACF)前处理及再生前后动态吸附氙的性能差异,重点研究了温度对氙脱附行为的影响．结果表明,前处理对活性炭纤维动态吸附氙的性能有较大影响,而再生处理对吸附性能的影响不大．高温加热氙的脱附效率>97％,但存在150℃的温度阈值,且在150℃以上,温度的变化对氙的脱附没有影响．

关键词：活性炭纤维氙吸附脱附

多事件联合与双差地震定位方法研究:以朝鲜核试验定位为例

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地球物理学报 2023年第9期66卷 3717-3729页

作者：韩业丰靳平徐雄王培忠西北核技术研究所西安710024

双差定位法(Double-difference Earthquake Location,简称DD)和多事件联合定位法(Joint Hypocenter Determination,简称JHD)是精确多事件定位中常用的两种方法.对震源机制相近的相邻事件,DD方法利用事件之间的相对到时精准地反演它们之... 详细信息

双差定位法(Double-difference Earthquake Location,简称DD)和多事件联合定位法(Joint Hypocenter Determination,简称JHD)是精确多事件定位中常用的两种方法.对震源机制相近的相邻事件,DD方法利用事件之间的相对到时精准地反演它们之间的相对位置,到时差数据能够利用波形互相关等方法直接测量,但是却无法准确地确定绝对位置;相比之下,JHD方法能够同时反演事件的绝对位置和台站走时校正值.结合两种方法的优点,本文提出一种混合定位方法,同时利用绝对到时数据和到时差数据准确地反演事件绝对位置和台站走时校正.本文利用模拟数据对该方法进行了验证并将其应用于朝鲜核试验定位,结果表明该方法能够有效减小走时计算误差所导致的定位误差.对于朝鲜核试验,相比单次事件+DD定位方法和JHD方法,相对Myers的定位结果定位偏差分别减小45.67%和40.00%.

关键词：多事件地震定位台站走时校正双差定位法多事件联合定位法

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浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

电子学报 2003年第8期31卷 1260-1262页

作者：贺朝会耿斌杨海亮陈晓华李国政王燕萍西北核技术研究所

比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这... 详细信息

比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 .

关键词： FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应总剂量效应

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CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探

核电子学与探测技术 2004年第6期24卷 745-748页

作者：罗尹虹龚建成关颖石小峰郭红霞西北核技术研究所

利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60C... 详细信息

利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析。

关键词： CMOS器件阈值电压漂移总剂量效应 NMOSFET PMOSFET 陷阱电荷界面态 ^60Co 损伤辐照

低注量X射线中屏蔽电缆的系统电磁脉冲响应研究

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核电子学与探测技术 2005年第1期25卷 100-103页

作者：李宝忠周辉程引会林东升韩福斌吴伟钟玉芬西北核技术研究所

介绍了在低注量X光条件下进行电缆的系统电磁脉冲实验研究的方法。将DPF低注量脉冲X光响应实验与实验室电流注入方法相结合,对典型实用电缆的系统电磁脉冲响应情况进行了实验研究,结果表明该方法对于电缆的研究是切实可行的,克服了由于... 详细信息

介绍了在低注量X光条件下进行电缆的系统电磁脉冲实验研究的方法。将DPF低注量脉冲X光响应实验与实验室电流注入方法相结合,对典型实用电缆的系统电磁脉冲响应情况进行了实验研究,结果表明该方法对于电缆的研究是切实可行的,克服了由于缺乏高注量X光装置带来的困难。

关键词：系统电磁脉冲电缆脉冲X光三同轴注入系统