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双重预防机制在化工企业中的应用研究

产品可靠性报告 2024年第9期 45-46页

作者：彭飞王雪梅湖北兴福电子材料股份有限公司湖北兴力电子材料有限公司

化工企业在进行生产经营时，涉及许多危险因素和意外因素，一旦发生危险，往往后果极为严重。因此，为了控制相关风险，企业需要持续进行风险管理，将风险分级管控和隐患排查治理的双重预防机制纳入风险管理的工作中。本文对化工企业的... 详细信息

化工企业在进行生产经营时，涉及许多危险因素和意外因素，一旦发生危险，往往后果极为严重。因此，为了控制相关风险，企业需要持续进行风险管理，将风险分级管控和隐患排查治理的双重预防机制纳入风险管理的工作中。本文对化工企业的双重预防机制进行了具体分析，并探讨了将双重预防机制融入化工企业的日常安全管理体系的建设方式，重点落实安全生产的主体责任，有效控制安全风险。

关键词：化工企业双重预防机制安全管理

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湿电子化学品中外质量评价标准体系发展概述

中国标准化 2024年第S1期 209-213页

作者：武昊冉张庭贺兆波李少平叶瑞杜林蔡贵婷湖北兴福电子材料股份有限公司

湿电子化学品是电子信息产业的关键材料，其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而，由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样，给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础... 详细信息

湿电子化学品是电子信息产业的关键材料，其质量直接影响到下游电子产品的性能和可靠性[1]。然而，由于湿电子化学品品类繁多、组成复杂、应用环境多样，给质量评价与控制带来诸多挑战。本文在梳理国内外湿电子化学品标准化现状的基础上，分析了我国该领域标准体系存在的问题和面临的挑战，提出了完善湿电子化学品标准体系的对策建议。研究认为，应从加强顶层设计、提升标准水平、强化实施监管、加强人才队伍建设等方面着力，推动湿电子化学品标准体系建设再上新台阶。

关键词：湿电子化学品新材料质量评价标准体系对策建议

聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂对氧化铈抛光液的分散稳定性研究

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中国标准化 2024年第S1期 249-253页

作者：邹哲敏常希文罗月贺兆波李少平叶瑞杜林湖北兴福电子材料股份有限公司

氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料，但由于其粒径小，表面能大，在抛光液中极易团聚沉降，使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题，本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂，并探究了其含量对纳米氧化铈... 详细信息

氧化铈纳米粒子是一种抛光性能优异的磨料，但由于其粒径小，表面能大，在抛光液中极易团聚沉降，使得抛光液的分散稳定性差。为了解决这一问题，本文在氧化铈抛光液中引入了聚羧酸铵盐类GS652D表面活性剂，并探究了其含量对纳米氧化铈分散性的影响。结果表明，GS652D能显著提高纳米氧化铈在抛光液中的分散稳定性；在质量分数为1%氧化铈溶液中加入0.1%GS652D，分散液的平均粒径在180.4nm,Zeta电位绝对值为35.78mV。同时，放置48h后的分散液未出现分层现象，并且粒径略有减小。通过抛光实验可知，GS652D不仅对氧化铈的抛光性能没有影响，同时会提高碳化硅晶圆抛光后的表面质量。本实验对氧化铈抛光液的开发与应用具有指导意义。

关键词：氧化铈粉体分散性表面活性剂抛光液

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湿电子化学品企业质量管理体系建设研究

中国标准化 2024年第S1期 204-208页

作者：王水秀吕贺刘文清陈妙丹孙藜珉李少平叶瑞黄如林刘兴荣湖北兴福电子材料股份有限公司

湿电子化学品是显示面板、半导体、光伏等领域不可缺少的关键性材料之一。湿电子化学品的质量优劣，不但直接影响电子产品的质量，而且对微电子制造技术的产业化有重大影响。因此，下游客户对供应商执行严格的准入机制，这对供应商的质... 详细信息

湿电子化学品是显示面板、半导体、光伏等领域不可缺少的关键性材料之一。湿电子化学品的质量优劣，不但直接影响电子产品的质量，而且对微电子制造技术的产业化有重大影响。因此，下游客户对供应商执行严格的准入机制，这对供应商的质量管理体系提出了极高的要求。本文从质量体系建设标准、质量体系评价模式、质量管理数字化3个方面分别介绍了湿电子化学品企业进行质量管理体系建设的方法及要点，以达到实现全面质量管理及顾客持续满意的效果。最后，对湿电子化学品企业未来质量管理体系建设提出了总结和展望。

关键词：湿电子化学品质量管理体系内部审核顾客特定要求质量管理信息化

磷酸中金属离子的种类与含量对多晶硅蚀刻速率的影响

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中国标准化 2024年第S1期 314-319页

作者：冯凯张庭王书萍尹印贺兆波李少平叶瑞杜林湖北兴福电子材料有限公司

在集成电路制造工艺中，热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除，对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响，发现，在常见浓度范围内，磷酸中单独或同时存在Al3+、Co2+、Zn2+以及Na+时，不会... 详细信息

在集成电路制造工艺中，热磷酸主要用于氮化硅的选择性蚀刻去除，对多晶硅的蚀刻速率很低。实验研究了9种磷酸中常见的金属离子对磷酸蚀刻多晶硅的影响，发现，在常见浓度范围内，磷酸中单独或同时存在Al3+、Co2+、Zn2+以及Na+时，不会对多晶硅的蚀刻速率产生影响。而Fe3+、Ni2+、Sb3+、Cu2+以及W6+均会不同程度提高磷酸对多晶硅的蚀刻速率，相同金属离子浓度下，Cu2+的影响程度最大，Sb3+次之，W6+的影响最小。

关键词：磷酸多晶硅金属离子蚀刻速率

低泡型非离子Gemini表面活性剂的合成及性能研究

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高分子学报 2024年第10期55卷 1356-1364页

作者：马杰文张之钧李雅琪胡斌邢攸美尹云舰方伟华吴振王国杰北京科技大学材料科学与工程学院杭州格林达电子材料股份有限公司

低泡型非离子双子(Gemini)表面活性剂在工业清洗、光刻胶显影等领域有着广泛的应用.以二叔戊基氢醌为母体在碱催化的条件下与环氧乙烷通过开环反应合成了3种(P1、P2和P3)不同聚氧乙烯链长度的非离子Gemini表面活性剂，通过表面张力仪、... 详细信息

低泡型非离子双子(Gemini)表面活性剂在工业清洗、光刻胶显影等领域有着广泛的应用.以二叔戊基氢醌为母体在碱催化的条件下与环氧乙烷通过开环反应合成了3种(P1、P2和P3)不同聚氧乙烯链长度的非离子Gemini表面活性剂，通过表面张力仪、接触角测量仪等研究了不同聚氧乙烯链长度对表面张力、润湿性能、乳化性能、泡沫性能的影响.在相同浓度下，随着聚氧乙烯链长度的增加，表面张力和接触角增加，乳化能力逐渐增强，发泡体积逐渐增加.此外，3种非离子Gemini表面活性剂均具有优异的低泡性能，表面活性剂P1发泡量低于传统表面活性剂Tween-80的1%，在工业清洗、光刻胶显影等领域中具有巨大的应用潜力.

关键词：非离子Gemini表面活性剂低泡性表面张力润湿性能乳化性能

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纳米金属氧簇EUV光刻胶及其性能影响因素

中国科学:化学 2024年

作者：邢攸美胡涛方伟华尹云舰高立江刘伟鑫徐钉金海安王国杰杭州格林达电子材料股份有限公司北京科技大学材料科学与工程学院中国电子材料行业协会

随着半导体行业的发展,先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路).在集成电路光刻技术(photolithography,亦称微影技术)中,图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长.为将图形化尺寸推到更小... 详细信息

随着半导体行业的发展,先进电子技术亟需更高电子元件密度的集成电路(integrated circuit,亦称积体电路).在集成电路光刻技术(photolithography,亦称微影技术)中,图案化特征结构的尺寸主要取决于曝光光源的波长.为将图形化尺寸推到更小的极限,曝光光源的波长从紫外发展到极紫外.近年来,波长为13.5 nm的极紫外光(extreme ultraviolet, EUV)成为新一代光刻技术的光源,是实现10 nm及以下制程的关键因素.除光源和光刻机外,光刻胶(photoresist,亦称光阻)也是决定图案化特征尺寸的重要因素,其关键性能指标包括分辨率、灵敏度、线边缘粗糙度和线宽粗糙度等.目前适配于EUV光源的光刻胶主要有聚合物、分子玻璃和金属基材料等几类,其中,纳米金属氧簇EUV光刻胶具备高灵敏度、高分辨率和低粗糙度等性能,成为半导体集成电路行业的研究热点.本文主要介绍近年来纳米金属氧簇EUV光刻胶体系的组成、结构特征及其性能影响因素,采用多种表征手段,从分辨率、灵敏度和粗糙度等角度阐述光刻胶成分结构及环境因素对光刻过程及图案形成的影响,多层次了解其光刻机理及性能平衡策略.

关键词：纳米结构金属氧簇极紫外光刻胶半导体集成电路

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浅谈电子级氢氟酸的除砷工艺

化工设计通讯 2024年第9期50卷 26-28页

作者：彭飞杨洁王雪梅湖北兴力电子材料有限公司

电子级氢氟酸是在半导体制造等高纯度工艺中常用的酸性溶液，但其中可能含有砷等杂质，需要进行除砷处理。对电子级氢氟酸的除砷工艺进行浅谈，涵盖了氧化法、离子交换法和电解法等多种常见方法，并简述了各个方法的优缺点。通过了解这... 详细信息

电子级氢氟酸是在半导体制造等高纯度工艺中常用的酸性溶液，但其中可能含有砷等杂质，需要进行除砷处理。对电子级氢氟酸的除砷工艺进行浅谈，涵盖了氧化法、离子交换法和电解法等多种常见方法，并简述了各个方法的优缺点。通过了解这些工艺方法，可以更好地理解电子级氢氟酸的除砷过程以及相关的技术挑战和解决方案。

关键词：电子级氢氟酸除砷工艺氧化反应

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可溶解热塑性聚酰亚胺薄膜的制备和性能研究

绝缘材料 2024年

作者：贺娟牛翔陈文求范和平江汉大学湖北省化学研究院华烁科技股份有限公司华烁电子材料(武汉)有限公司

为了改善传统热塑性聚酰亚胺（TPI）的溶液加工性并提高其耐热性和粘接性，采用不同的商品化二酐单体分别与自制的主链含有吡啶和二苯醚结构及活性苯酚侧基的二胺单体通过常规的两步法制备了几种可溶解热塑性聚酰亚胺（TPI）树脂，随后... 详细信息

为了改善传统热塑性聚酰亚胺（TPI）的溶液加工性并提高其耐热性和粘接性，采用不同的商品化二酐单体分别与自制的主链含有吡啶和二苯醚结构及活性苯酚侧基的二胺单体通过常规的两步法制备了几种可溶解热塑性聚酰亚胺（TPI）树脂，随后制备了相应的TPI薄膜以及挠性覆铜板（FCCL）。分别通过溶解性试验和凝胶渗透色谱（GPC）分析TPI树脂的性能，然后测试分析了TPI薄膜的结构、吸水率、力学性能、热学性能和介电性能，并对其FCCL的相关性能进行测试。结果表明：制得的TPI树脂均能溶解于NMP等强极性有机溶剂，相应薄膜的玻璃化转变温度（Tg）均为263.4～325.6℃，5%热失重温度(T5%)为508.7～553.7℃，800℃残留率(R800)均高于64%，热膨胀系数（CTE）为56.36×10-6～62.03×10-6℃-1，拉伸强度为72.94～109.18 MPa，断裂伸长率为9.09%～10.10%，吸水率为1.39%～3.75%。综合性能相对较优的TPI-4的介电常数和介质损耗因数也相对较低，对应的FCCL的剥离强度达到0.95 N/mm，但只能通过288℃/10 s的耐浮焊测试。此外，TPI-4中极性的苯酚侧基不仅保证了其有机溶解性，对其耐热性和力学强度的增强作用也非常明显，同时还降低了其CTE值。具有反应活性的苯酚侧基为TPI的后续化学改性应用提供了极大的便利，通过加入少量的氰酸酯树脂（CE01）对其进行改性可以明显改善其与热固性PI薄膜或铜箔的粘接性能并提高其FCCL的耐浮焊性。

关键词：聚酰亚胺挠性覆铜板可溶解热塑性粘接性耐热性