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检索条件"机构=信息产业部电子第五研究所"
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信息产业部电子第三十九研究所工业卫生状况分析与控制
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工业安全与防尘 2001年 第1期27卷 32-34页
作者: 屈海萍 信息产业部电子第三十九研究所 710065
着重阐述了信息产业部电子第三十九研究所的工业卫生状况 。
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分布式训练系统及其优化算法综述
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计算机学报 2024年 第1期47卷 1-28页
作者: 王恩东 闫瑞栋 郭振华 赵雅倩 山东海量信息技术研究 济南250101 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 北京100875 浪潮电子信息产业股份有限公司 济南250101
人工智能利用各种优化技术从海量训练样本中学习关键特征或知识以提高解的质量,这对训练方法提出了更高要求.然而,传统单机训练无法满足存储与计算性能等方面的需求.因此,利用多个计算节点协同的分布式训练系统成为热点研究方向之一.本... 详细信息
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欧盟新电池法规解读及应对措施
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电池 2024年 第4期54卷 548-551页
作者: 龚陈茵 兰晋玲 王斌 唐锐 康如军 陈海鑫 工业和信息电子第五研究所 广东广州511370
欧盟(EU)2023/1542《电池和废旧电池的法规》(新电池法规)的发布及实施,对我国汽车和电池行业都带来很大的影响。产业链上下游均面临更高的要求,也将直面欧盟的绿色贸易壁垒。介绍电池法规的发展历程,重点对新电池法规中有害物质、碳足... 详细信息
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反铁电储能陶瓷及电容器的极化特性
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硅酸盐学报 2024年 第4期52卷 1277-1287页
作者: 李缨萱 乔峰 张玲 王岗 王晓智 朱青山 徐然 徐卓 冯玉军 西安交通大学 电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049 成都宏科电子科技有限公司 成都610199 工业和信息电子第五研究所 广州510642
反铁电多层陶瓷电容器(MLCC)作为储能器件在脉冲功率技术、电力电子技术等领域具有重要的应用。与常规的I类或II类陶瓷电容器不同,反铁电电容器在出厂前会进行极化处理并标记极性。该极化过程可能对反铁电MLCC的应用带来影响,因此有必... 详细信息
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低空经济发展的理论逻辑、要素分析与实现路径
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东南学术 2024年 第4期 87-97页
作者: 周钰哲 中国电子信息产业发展研究 中国电子信息产业发展研究院未来产业研究中心空天信息研究
低空经济作为一种新兴的综合经济形态,正凭借其独特的发展优势,加速向超万亿级市场规模迈进,逐渐成为国内外关注的新的经济增长点。低空经济具有产业成长性高、产业链条长、产业融合性强、应用辐射面广等特征,对塑造经济新增长极、培育... 详细信息
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直流输电用特高压晶闸管大气中子失效率评估和损伤机理
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原子能科学技术 2024年 第1期58卷 248-256页
作者: 彭超 周杨 陈中圆 雷志锋 马腾 张战刚 张鸿 何玉娟 工业和信息电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370 国家电网有限公司 北京100031
本文基于散裂中子源开展了直流输电用8.5 kV/5 kA晶闸管的加速辐照试验。试验证实了大气中子导致的晶闸管单粒子烧毁失效现象,同时基于加速辐照试验结果计算了大气中子导致的晶闸管失效率。晶闸管的反向偏置电压和结温是影响晶闸管器件... 详细信息
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非均匀当量比对旋转爆震燃烧室性能影响的三维数值模拟研究
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爆炸与冲击 2024年 第5期44卷 54-71页
作者: 刘事成 高春雨 周胜兵 工业和信息电子第五研究所 广东广州511370 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室 广东广州511370 重庆大学航空航天学院 重庆400044
研究入口当量比的不均匀分布对旋转爆震燃烧室性能的影响,建立了当量比在入口环缝的径向或周向的函数模型,将模型公式代入组分质量分数与当量比的关系式,得到组分质量分数在径向或周向的分布函数。通过Fluent软件中的自定义函数工具,... 详细信息
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气氛含量分析环境下本底材料放气率研究
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电子元件与材料 2024年 第5期43卷 625-630页
作者: 罗捷 邱宝军 张烨 蔡宇宏 夏江 周帅 陈海鑫 工业和信息电子第五研究所 广东广州510610 兰州空间技术物理研究所 甘肃兰州730000
气密封装器件的内气氛含量分析中,设备本底材料放气率是影响分析准确性的重要因素。采用静态升压法,对5种真空设备主要材料在3种典型温度和抽气时间下的放气率进行了深入研究研究表明,相同条件下304不锈钢、430不锈钢和钛材料的放... 详细信息
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基于改进T-S模糊模型的智能电能表寿命预测方法
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南方电网技术 2024年
作者: 李丹 莫冰 潘广泽 工业和信息电子第五研究所 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室
针对目前我国智能电能表寿命衡量标准单一、复杂环境应力条件下寿命预测精度低的问题,对复杂环境应力下智能电能表寿命预测问题进行了深入的研究。找出了智能电能表的失效机理,对影响智能电能表寿命的6种环境应力进行分析,并针对由... 详细信息
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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应
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物理学报 2024年 第2期73卷 234-241页
作者: 李洋帆 郭红霞 张鸿 白如雪 张凤祁 马武英 钟向丽 李济芳 卢小杰 湘潭大学材料科学与工程学院 湘潭411105 西北核技术研究所 西安710024 工业和信息第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610
本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子... 详细信息
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