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1,2-环己二醇改性聚丁二酸丁二酯的结构与性能

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塑料 2024年第1期53卷 109-113页

作者：徐秋舒陈文生崔燕军上海华峰新材料研发科技有限公司上海201315

以1,4-丁二酸(SA)、1,4-丁二醇(BDO)、1,2-环己二醇(CHD)为原料,通过改变BDO与CHD投料比,采用熔融缩聚法制备了一系列的CHD改性聚丁二酸丁二醇酯(PBS)共聚酯。采用1H-NMR表征了共聚酯的化学结构,并且,分析了CHD占主链二醇含量对共聚物... 详细信息

以1,4-丁二酸(SA)、1,4-丁二醇(BDO)、1,2-环己二醇(CHD)为原料,通过改变BDO与CHD投料比,采用熔融缩聚法制备了一系列的CHD改性聚丁二酸丁二醇酯(PBS)共聚酯。采用1H-NMR表征了共聚酯的化学结构,并且,分析了CHD占主链二醇含量对共聚物分子量及其分子量分布、熔融和结晶性能、热稳定性能、拉伸性能及脂肪酶降解性能的影响。结果表明,随着CHD含量的增加,共聚酯的数均分子量从7.45×10^(4)下降至4.75×10^(4),由结晶度48.5%的半晶态转变为无定形态,热分解损失为质量5%时,温度降低了26.7℃,拉伸强度由38.2 MPa降低至14.9 MPa,但脂肪酶降解性能显著提高。PBS主链引入适量CHD后,可以有效地调控PBS的结晶度及柔顺性,提高了PBS在非堆肥条件下的降解速度。

关键词：聚丁二酸丁二醇酯 1,2-环己二醇热性能拉伸性能脂肪酶降解

28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效

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半导体技术 2024年第9期49卷 838-843页

作者：方精训姜兰上海华力集成电路制造有限公司上海201203

针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe... 详细信息

针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。

关键词：镍硅化物良率激光退火热预算高介电常数金属栅(HKMG)

考虑惯性力的螺栓临界松动载荷影响因素分析与试验

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振动与冲击 2024年第10期43卷 149-155页

作者：尹思迈邓小伟张大平吴益文余征跃上海交通大学船舶海洋与建筑工程学院海洋工程国家重点实验室上海200240 上海华测智科材料技术有限公司上海201114 上海海关工业品与原材料检测技术中心上海200135

为准确探究横向振动工况下螺栓连接的松动特性,综合考虑了局部滑移与扭矩滑移的影响,建立了考虑惯性力的螺栓连接模型,对螺纹周向不同位置进行受力分析,得到了计算螺栓临界松动载荷的理论计算方法,并利用横向振动试验进行了验证,结果表... 详细信息

为准确探究横向振动工况下螺栓连接的松动特性,综合考虑了局部滑移与扭矩滑移的影响,建立了考虑惯性力的螺栓连接模型,对螺纹周向不同位置进行受力分析,得到了计算螺栓临界松动载荷的理论计算方法,并利用横向振动试验进行了验证,结果表明该理论计算方法具有更高的准确性。定量计算了不同预紧力、螺纹面摩擦因数、振动次数、螺距、振动频率、螺纹升角等参数下的螺栓临界松动载荷,揭示了螺栓松动的主要影响因素。当增大预紧力、螺纹面摩擦因数,降低振动次数、螺距、振动频率和螺纹升角时,螺栓临界松动载荷随之增大,有利于提高螺栓连接抵抗自松弛的防松能力。研究结果对螺栓连接防松设计具有指导意义。

关键词：螺栓连接横向振动惯性力临界松动载荷数值计算

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关于酒店客房室内设计的初步探讨

鞋类工艺与设计 2024年第7期4卷 136-138页

作者：谭仁宏上海海华建筑装饰工程有限公司上海200040

随着经济水平和生活质量的提高,人们对居住环境的要求越来越高,这为酒店客房设计带来了新的挑战与机遇。酒店客房作为酒店经营的核心部分,其设计直接关系到客人的居住体验和酒店的市场竞争力。文章深入分析了酒店客房设计的历史与发展趋... 详细信息

随着经济水平和生活质量的提高,人们对居住环境的要求越来越高,这为酒店客房设计带来了新的挑战与机遇。酒店客房作为酒店经营的核心部分,其设计直接关系到客人的居住体验和酒店的市场竞争力。文章深入分析了酒店客房设计的历史与发展趋势,并对客房设计原则、设计实施方法进行研究,以期提升酒店客房用户的体验并对客房设计实践的发展起到积极的推动作用。

关键词：酒店客房室内设计用户体验

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一种基于IC电路设计的多次图形化方法

半导体技术 2024年第8期49卷 713-718页

作者：王雷张顾斌张雪上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201203

集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一... 详细信息

集成电路光刻工艺中的多次图形化技术在版图拆分时着重强化图形分辨率,而非考虑电路复杂程度带来的图形复杂度和拆分难度,拆分后的版图依然包含多个电路设计单元,具有多种复杂结构,不利于光刻条件的进一步优化。以存储器为例,提出了一种基于电路设计的多次图形化方法,根据电路功能单元或器件工作电压对设计版图进行识别分组。将版图进行重新布局拆分,使拆分后图形具备类似的空间周期和图形特征,克服了传统光刻工艺需要兼顾各种图形带来的缺陷。对图形结构空间周期进行全周期优化和最大化优化,降低了对光刻设备的依赖程度,为多次图形化技术提供了一种新的思路和可行性方案。

关键词：多次图形化版图拆分存储器光罩工艺窗口光学临近效应修正(OPC)

浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究

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固体电子学研究与进展 2024年第4期44卷 363-366页

作者：刘冬华陈云骢钱文生上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201206

为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不... 详细信息

为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不同掺杂浓度下EEPROM存储单元的擦写速度、读取电流、可靠性以及高压晶体管的电学特性等相关分析,探讨优良器件特性的最优掺杂浓度设计方法,为器件性能优化以及工艺改进提供参考。

关键词： EEPROM 浮栅共掺

在VLSI制造中基于辅助图形的灰度光刻形成三维结构

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半导体技术 2024年第9期49卷 832-837页

作者：王雷张雪王辉上海华虹宏力半导体制造有限公司上海201203

半导体器件从单一的二维尺度微缩转向更复杂的三维物理结构,而其传统的制造方法与以硅基逻辑或存储器为主的超大规模集成电路(VLSI)制造工艺的兼容性越来越差。灰度光刻是一种实现三维结构的可行技术方案,但因物理尺寸受限和大规模制造... 详细信息

半导体器件从单一的二维尺度微缩转向更复杂的三维物理结构,而其传统的制造方法与以硅基逻辑或存储器为主的超大规模集成电路(VLSI)制造工艺的兼容性越来越差。灰度光刻是一种实现三维结构的可行技术方案,但因物理尺寸受限和大规模制造成本过高,无法被直接应用于超大规模集成电路制造。提出了一种基于辅助图形的灰度光刻技术,通过辅助图形而非传统灰度光刻调整光源或透过介质的方法来调整光强分布,并结合光刻胶筛选方法,实现了仅通过调整单一光刻工艺模块,就使现有超大规模集成电路制造工艺生产线可低成本地兼容三维结构器件制造。制作了三维结构的微电子机械系统(MEMS)运动传感器,从而验证了所提出工艺的可行性。

关键词：超越摩尔定律超大规模集成电路(VLSI)制造灰度光刻辅助图形微电子机械系统(MEMS) 分立器件

12英寸超级结-沟槽栅MOSFET器件和工艺研究

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微电子学 2024年

作者：刘冬华许昭昭钱文生上海华虹宏力半导体制造有限公司华虹半导体(无锡)有限公司

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rs... 详细信息

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rsp优化余地有限，但是采用超级结，器件的Rsp可降低超50%。实验结果显示，超级结-沟槽栅器件的BV达85 V，与仿真一致。阈值电压偏高且Rsp改善20%。这表明超级结-沟槽栅在中-低压段分立器件中有非常大的实用价值，相比沟槽栅器件，Rsp改善预估在35%～40%之间。

关键词：沟槽MOSFET 超级结元胞特征导通电阻高能注入

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用户体验视角下的电子商务在线支付研究

商业观察 2024年第19期10卷 29-33页

作者：何蕊达飞轮船(中国)有限公司上海200001

文章深入研究了用户体验视角下的电子商务在线支付系统,探讨了其定义、发展历程以及当前的市场概况。重点识别并讨论了在线支付领域当前面临的主要问题,包括技术挑战与安全隐患、用户接受度与信任问题,以及法规政策与市场环境的影响。... 详细信息

文章深入研究了用户体验视角下的电子商务在线支付系统,探讨了其定义、发展历程以及当前的市场概况。重点识别并讨论了在线支付领域当前面临的主要问题,包括技术挑战与安全隐患、用户接受度与信任问题,以及法规政策与市场环境的影响。针对这些问题,提出了一系列策略,具体包括提高支付系统的安全性能、增强用户隐私保护、加强用户教育和宣传,灵活调整支付策略,以适应市场和法规的变化。为了在激烈的市场竞争中保持优势,支付平台需要不断提升自身系统的安全性、便利性和效率。随着技术的进步和用户需求的演变,支付领域将持续面临新的机遇和挑战,这就要求支付平台不断创新,以适应这些变化。通过研究,文章为电子商务领域的从业者提供了宝贵的见解和建议,以优化在线支付体验,提升用户满意度和忠诚度。

关键词：在线支付用户体验安全性与隐私保护