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50nm及50nm以下同步辐射x射线光刻光束线设计

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核技术 2004年第5期27卷 321-324页

作者：谢常青陈大鹏李兵叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子研究中心北京100010 中国科学院高能物理研究所北京100039

x射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 x 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光... 详细信息

x射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 x 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 x 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm x 射线光刻的可能性。

关键词： x射线光刻同步辐射束衍生法光刻分辨率

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50 nm x射线光刻掩模制备关键技术

核技术 2004年第2期27卷 96-98页

作者：董立军陈大鹏谢常青韩敬东叶甜春伊福廷彭良强韩勇张菊芳中国科学院微电子中心北京100010 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室北京100039

x 射线光刻(xRL)采用约 1nm 波长的 x 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，xRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 xRL 开发中最为困... 详细信息

x 射线光刻(xRL)采用约 1nm 波长的 x 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，xRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 xRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm xRL 的掩模制备的关键技术。

关键词： x射线光刻掩模金刚石吸收体键合

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x射线光刻掩模加工过程中的形变研究

真空科学与技术学报 2005年第1期25卷 18-20,29页

作者：王永坤余建祖余雷北京航空航天大学航空科学与工程学院北京100083

对以SiNx 为衬基的x射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真 ,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响。结果表明 ,参数的变化明显影响最大非平面形变量。当Si片的厚度和直径增大 ,衬基的厚度和初... 详细信息

对以SiNx 为衬基的x射线光刻掩模在背面刻蚀过程中的形变进行数值仿真 ,研究了Si片和衬基的各种参数对掩模最大平面内形变和非平面形变的影响。结果表明 ,参数的变化明显影响最大非平面形变量。当Si片的厚度和直径增大 ,衬基的厚度和初始应力减小时 ,最大平面内形变与非平面形变减小 ,而衬基的材料对两者的影响不明显。

关键词：掩模 x射线光刻平面形刻蚀厚度显影形变量加工过程直径

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电子束和x射线光刻制作高分辨率微波带片

Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 1147-1150页

作者：王德强曹磊峰谢常青叶甜春中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室北京100029 中国工程物理研究院激光聚变研究中心绵阳621900

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射x射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的... 详细信息

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射x射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.

关键词：电子束 x射线光刻微波带片菲涅耳波带片

同步辐射x射线光刻中光刻胶显影速率模型研究

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科学通报 1995年第21期40卷 2010-2012页

作者：谢常青陈梦真王玉玲孙宝银周生辉朱樟震中国科学院微电子研究中心北京100029 中国科学院高能物理研究所北京100039

同步辐射x射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射x射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重... 详细信息

同步辐射x射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射x射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射x射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射x射线光刻实验.在同步辐射x射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用xK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.

关键词：同步辐射 x射线光刻光刻胶显影模型光刻

同步辐射x射线光刻应用新领域──LIGA技术

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原子能科学技术 1994年第4期28卷 303-307页

作者：田扬超胡一贯刘泽文阚娅中国科学技术大学国家同步辐射实验室

介绍了一种超微细加工新方法－ＬＩＧＡ技术，并就ＬＩＧＡ技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论，同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。ＬＩＧＡ技术是深度Ｘ射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术，是制造... 详细信息

介绍了一种超微细加工新方法－ＬＩＧＡ技术，并就ＬＩＧＡ技术对掩模材料、光刻胶和光源的要求予以讨论，同时还介绍了国外在这方面的最新研究成果。ＬＩＧＡ技术是深度Ｘ射线刻蚀、电铸成型和塑料铸模等技术相结合的综合技术，是制造微型机械最有前途的方法。与传统半导体超微细加工方法相比，ＬＩＧＡ技术有以下优点：（１）用材广泛，可以是金属、陶瓷、聚合物及玻璃；（２）可加工任意复杂的图形结构；（３）可制造有较大高宽比的超微细元件；（４）加工精度高，可达亚微米；（５）可重复复制，工业上能批量生产，成本低。

关键词： LIGA技术 x射线光刻同步辐射光刻

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用三层胶工艺x射线光刻制作T型栅

Journal of Semiconductors 2004年第3期25卷 358-360页

作者：孙加兴叶甜春陈大鹏谢常青伊福庭中国科学院微电子中心北京100029 中国科学院高能物理研究所北京100039

采用三层胶工艺 x射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .

关键词： x射线光刻 PHEMT T型栅三层胶工艺

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同步辐射x射线光刻初步实验结果

科学通报 1994年第6期39卷 572-573页

作者：刘泽文田扬超胡一贯阚娅中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230026

光束线由前端、Be窗、激光对准、曝光快门、镜箱、3个VAT气动阀、差分系统、单次曝光机及微机测量控制系统等组成.

关键词：同步辐射 x射线光刻光刻 PMMA

BEPC同步辐射软x射线光刻光束线的总体设计特性

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光学精密工程 1993年第1期1卷 13-21页

作者：邵景鸿徐正良中国科学院长春光学精密机械研究所长春130022

介绍我们为北京正负电子对撞机(Beijing Electron Position Collide,BEPC)同步辐射实验室建造的软x射线光刻光束线的总体设计思想,并说明其中的束线物理设计、反射镜扫描、调整机构、激光模拟光源、真空系统和电子学、微机控制等系统中... 详细信息

介绍我们为北京正负电子对撞机(Beijing Electron Position Collide,BEPC)同步辐射实验室建造的软x射线光刻光束线的总体设计思想,并说明其中的束线物理设计、反射镜扫描、调整机构、激光模拟光源、真空系统和电子学、微机控制等系统中的关键技术。此外,对束线中的关键器件之一的超薄铍窗(18μm厚)的耐压强度给出了与理论计算趋势相一致的实验结果。

关键词： x射线光刻光束线真空扫描铍窗