50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below作者机构：中国科学院微电子研究中心北京100010 中国科学院高能物理研究所北京100039
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：2004年第27卷第5期
页 面：321-324页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于 100nm 同步辐射 X 射线光刻系统而言,它采用的波长通常为 0.7—1.0nm,而当光刻分辨率达到 50nm 以下时,采用的同步辐射 X 射线波长范围应该为 0.2—0.4 nm。探讨了在北京同步辐射 3B1A 光刻束线上进行 50nm X 射线光刻的可能性。
维普期刊数据库
同方期刊数据库