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Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors
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Science China(Information Sciences) 2020年 第12期63卷 278-280页
作者： Guoliang TIAN Jinshun BI Gaobo XU Kai XI Xueqin YANG Majumdar SANDIP Huaxiang YIN Qiuxia XU Wenwu WANG Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences School of Microelectronics University of Chinese Academy of Sciences Department of Physics ICFAI School of Science ICFAI University Tripura
Dear editor,Ferroelectric tunneling FETs (FeTFETs) are the increasingly significant research topics on novel low-power electronic devices [1, 2], because ferroelectric materials’ negative capacitance effect is helpfu... 详细信息
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