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Performance improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with double electron blocking layers

Chinese Physics B 2016年第2期25卷 538-543页

作者：张诚孙慧卿李旭娜孙浩范宣聪张柱定郭志友 Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices Institute of Opto-Electronic Materials and TechnologySouth China Normal University

The AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes（LED） with double electron blocking layers（d-EBLs） on both sides of the active region are investigated theoretically. They possess many excellent performances compared with the conventional structure with only a single electron blocking layer, such as a higher recombination rate, improved light output power and internal quantum efficiency（IQE）. The reasons can be concluded as follows. On the one hand, the weakened electrostatic field within the quantum wells（QWs） enhances the electron–hole spatial overlap in QWs, and therefore increases the probability of radioactive recombination. On the other hand, the added n-AlGaN layer can not only prevent holes from overflowing into the n-side region but also act as another electron source, providing more electrons.

关键词： double electron blocking layers ultraviolet light-emitting diodes n-A1GaN electrostatic field

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