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Effect of Parallel-Plate Geometry on Mode Transition Behavior in Argon Microplasmas: two-dimensional simulation

Chinese Physics Letters 2018年第4期35卷 66-69页

作者： Xiang-Mei Liu Yuan-Hong Song Wei Jiang Wen-Zhu Jia School of Science Qiqihar University Qiqihar 161006 School of Physics Dalian University of Technology Dalian 116024 School of Physics Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074

A two-dimensional self-consistent fluid model is employed to investigate radio-frequency process parameters on the plasma properties in Ar microdischarges. The neutral gas density and temperature balance equations are taken into account. We mainly investigate the effect of the electrode gap on the spatial distribution of the electron density and electron temperature profiles, due to a mode transition from the regime（secondary electrons emission is responsible for the significant ionization） to the regime（sheath oscillations and bulk electrons are responsible for sustaining discharge） induced by a sudden decrease of electron density and electron *** pressure, radio-frequency sources frequency and voltage effects on the electron density are also elaborately investigated.

关键词： two-dimensional simulation

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two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor

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Journal of Semiconductors 2010年第9期31卷 59-63页

作者：于俊庭李斌桥于平平徐江涛牟村 School of Electronics Information Engineering Tianjin University Logistics Management Office Hebei University of Technology

Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional *** of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment,PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron *** the computer analysis tool ISE-TCAD,simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0×10^12 cm^-2,an implant tilt of -2°,a transfer gate channel doping dose of 3.0×10^12 cm^-2 and an operation voltage of 3.4 *** conclusions of this theoretical analysis can be a guideline for pixel design to improve the performance of 4-T CMOS image sensors.

关键词： image lag two-dimensional simulation doping dose implant tilt CMOS image sensor

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