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Overlay mark optimization for thick-film resist overlay metrology

Journal of Semiconductors 2009年第6期30卷 142-146页

作者：朱亮李杰周从树顾以理杨华岳 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Graduate University of the Chinese Academy of Sciences Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

For thick resist implant layers,such as a high voltage P well and a deep N well,systematic and uncorrectable overlay residues brought about by the tapered resist profiles were *** was found that the tapered profile is closely related to the pattern *** solutions of the manufacturing problem include hardening the film solidness or balancing the exposure *** this paper,instead of focusing on the process change methodology,we intend to solve the issue of the overlay metrology error from the perspective of the overlay mark *** on the comparison of the overlay performances between the proposed overlay mark and the original design,it is shown that the optimized overlay mark target achieves better performance in terms of profiles,dynamic precision,tool induced shift（TIS）,and ***,five types of overlay marks with dummy bars are studied,and a recommendation for the overlay marks is given.

关键词： overlay metrology error dynamic precision tool induced shift statistical process control depth of focus exposure latitude

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