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Influence of sub-bandgap illumination on space charge distribution in CdZnTe detector

Chinese Physics B 2021年第3期30卷 378-385页

作者： Rongrong Guo Jinhai Lin Lili Liu Shiwei Li Chen Wang Feibin Xiong Haijun Lin Fujian Provincial Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Devices Xiamen University of TechnologyXiamen 361024China

The space charge accumulation in CdZnTe crystals seriously affects the performance of high-flux pulse *** influence of sub-bandgap illumination on the space charge distribution and device performance in CdZnTe crystals were studied theoretically by Silvaco TCAD software *** sub-bandgap illumination with a wavelength of 890 nm and intensity of 8×10−8 W/cm2 were used in the simulation to explore the space charge distribution and internal electric field distribution in CdZnTe *** simulation results show that the deep level occupation faction is manipulated by the sub-bandgap illumination,thus space charge concentration can be reduced under the bias voltage of 500 V.A flat electric field distribution is obtained,which significantly improves the charge collection efficiency of the CdZnTe ***,premised on the high resistivity of CdZnTe crystal,the space charge concentration in the crystal can be further reduced with the wavelength of 850 nm and intensity of 1×10−7 W/cm2 *** electric field distribution is flatter and the carrier collection efficiency of the device can be improved more effectively.

关键词： CdZnTe detector sub-bandgap illumination space charge charge collection efficiency

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