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机构

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  • 1 篇 hubei longzhong ...
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作者

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  • 1 篇 xing yan
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  • 1 篇 chen chuanliang
  • 1 篇 zhou shuxing
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  • 1 篇 yan jiasheng
  • 1 篇 fang renfeng

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Effects of strain channel on Electron Irradiation Tolerance of InP-based HEMT Structures
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原子能科学技术 2023年 第12期57卷 2288-2294页
作者： FANG Renfeng CAO Wenyu WEI Yanfeng WANG Yin CHEN Chuanliang YAN Jiasheng XING Yan LIANG Guijie ZHOU Shuxing Hubei Key Laboratory of Low Dimensional Optoelectronic Materials and Devices Hubei University of Arts and ScienceXiangyang 441053China Hubei Key Laboratory of High Power Semiconductor Technology Hubei TECH Semiconductor Co.LtdXiangyang 441021China Hubei Longzhong Laboratory Xiangyang 441000China
The introduction of strain In_(x)Ga_(1-x)As channel with high In content increases the confinement of the two-dimensional electron gas(2DEG)and further improves the high-frequency performance of InGaAs/InAlAs/InP *** ... 详细信息
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