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Characterisation of the optical properties of InGaN MQW structures using a combined SEM and CL spectral mapping system

引用

Journal of Semiconductors 2011年第1期32卷 1-2页

作者： Mark N.Lockrey Matthew R.Phillips Physics and Advanced Materials University Technology

We demonstrate the ability of a combined scanning electron microscope and cathodoluminescence （CL） spectral mapping system to provide important spatially resolved information. The degree of inhomogeneity in spectral output across a multi-quantum well sample is measured using the SEM-CL system as well as measuring the efficiency roll-off with increasing carrier concentration. The effects of low energy electron beam modification on the InGaN/GaN multi quantum wells have also been characterized.

关键词： InGaN/GaN quantum wells cathodoluminescence spectral mapping electron beam irradiation

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