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diamond growth in a high temperature and high pressure Fe–Ni–C–Si system:Effect of synthesis pressure

Chinese Physics B 2023年第12期32卷 602-608页

作者：刘杨王志文李博维赵洪宇王胜学陈良超马红安贾晓鹏 State Key Laboratory of Superhard Materials College of PhysicsJilin UniversityChangchun 130012China Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education School of Physics and MicroelectronicsZhengzhou UniversityZhengzhou 450052China

Pressure is one of the necessary conditions for diamond *** the influence of pressure on growth changes in silicon-doped diamonds is of great value for the production of high-quality *** work reports the morphology,impurity content and crystal quality characteristics of silicon-doped diamond crystals synthesized under different *** transform infrared spectroscopy shows that with the increase of pressure,the nitrogen content in the C-center inside the diamond crystal decreases.X-ray photoelectron spectroscopy test results show the presence of silicon in the diamond crystals synthesized by adding silicon *** spectroscopy data shows that the increase in pressure in the Fe-Ni-C-Si system shifts the Raman peak of diamonds from 1331.18 cm^(-1)to 1331.25 cm^(-1),resulting in a decrease in internal stress in the *** half-peak width decreased from 5.41 cm^(-1)to 5.26 cm^(-1),and the crystallinity of the silicon-doped diamond crystals improved,resulting in improved *** work provides valuable data that can provide a reference for the synthesis of high-quality silicon-doped diamonds.

关键词： silicon-doped diamond crystal quality pressure effect nitrogen content

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