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Irradiation Defects in silicon crystal
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Semiconductor Photonics and Technology 2003年 第1期9卷 41-45页
作者： WUCheng－long YANGDe－ren 等 StateKeyLab.ofsiliconMaterials ZhejiangUniversityHangzhou310027CHN
The application of irradiation in silicon crystal is *** defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are *** the problems in the investigation of irradiated... 详细信息
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The Influence of Pico-Second Pulse Electron Irradiation on the Electrical-Physical Properties of silicon crystals
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Journal of Modern Physics 2016年 第12期7卷 1413-1419页
作者： Hrant N. Yeritsyan Aram A. Sahakyan Norair E. Grigoryan Eleonora A. Hakhverdyan Vachagan V. Harutyunyan Vahan A. Sahakyan Armenuhi A. Khachatryan Bagrat A. Grigoryan Vardan Sh. Avagyan Gayane A. Amatuni Ashot S. Vardanyan A.I. Alikhanyan National Science Laboratory (Yerevan Physics Institute) Yerevan Armenia National Institute of metrology Yerevan Armenia CANDLE Synchrotron Research Institute Yerevan Armenia
The studies of the influence of pico-second (4 × 10-13 sec.) pulse electron irradiation with energy of 3.5 MeV on the electrical-physical properties of silicon crystals (n-Si) are presented. It is shown that in spite... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
阿伏加德罗常数测定与摩尔复现
阿伏加德罗常数测定与摩尔复现
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引用
2007年全国质谱学会无机质谱、同位素质谱、质谱仪器和教育学专业委员会学术交流会
作者： 易洪 逯海 中国计量科学研究院
阿伏加德罗常数是一个基本物理常数,它是一摩尔物质所包含的实物粒子个数。阿伏加德罗常数在数值上与0.012 kg 基态碳-12的原子数目相等,因此,测定了阿伏加德罗常数即复现了摩尔。测定阿伏加德罗常数就是要准确确定一定质量物质所包含... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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