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To probe the performance of perovskite memory device:defects property and hysteresis

To probe the performance of perovskite memory device:defects...

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第四届新型太阳能电池学术研讨会

作者： Ziqi Xu Nengxu Li Guanhaojie Zheng Qi Chen Huanping Zhou Happy Lab College of EngineeringPeking University

Hybrid organic-inorganic perovskite materials offer a range of interesting characteristics that are suitable for optoelectronic devices, such as *** with fast rise of the device performance, a current density-voltage(J-V) hysteresis originated from defects and their movement has attracted intensive attention, which renders challenges regarding stability and reliability of the novel ***, we carefully probe the defects effects in the perovskite materials and across interfaces within the device, in which the bistable conductive states are achieved for the next generation nonvolatile *** memory device shows the operate voltage as low as 0.25 V, and a decent on/off *** importantly, we correlate the defect density and hysteresis-index of different perovskite films to the corresponding memory device *** findings enrich the understanding of working mechanism of perovskite memory devices, which also benefit other organic-inorganic hybrid perovskite optoelectronics.

关键词： perovskite memory device set voltage trap density hysteresis

来源： cnki会议评论

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