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Impact of switching frequencies on the TID response of SiC power MOSFETs

Journal of semiconductors 2021年第8期42卷 73-76页

作者： Sheng Yang Xiaowen Liang Jiangwei Cui Qiwen Zheng Jing Sun Mohan Liu Dang Zhang Haonan Feng Xuefeng Yu Chuanfeng Xiang Yudong Li Qi Guo Key Laboratory of Functional Materials and Devices for Special Environments Xinjiang Technical Institute of Physics and ChemistryChinese Academy of SciencesUrumqi 830011China Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device Urumqi 830011China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China

Different switching frequencies are required when SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)are switching in a space *** this study,the total ionizing dose(TID)responses of SiC power MOSFETs are investigated under different switching frequencies from 1 kHz to 10 MHz.A significant shift was observed in the threshold voltage as the frequency increased,which resulted in premature failure of the drain-source breakdown voltage and drain-source leakage *** degradation is attributed to the high activation and low recovery rates of traps at high *** results of this study suggest that a targeted TID irradiation test evaluation method can be developed according to the actual switching frequency of SiC power MOSFETs.

关键词： SiC power MOSFET switching frequency oxide trap total ionizing dose transistor semiconductor theory

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Regulation of surface properties of photocatalysis material TiO2 by strain engineering

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Journal of semiconductors 2020年第9期41卷 30-37页

作者： Jian Zheng Dajun Shu National Laboratory of Solid State Microstructures and School of Physics Nanjing UniversityNanjing 210093China

As a promising photocatalysis material,TiO2 has long been studied by experimental and theoretical *** external strain could affect the catalytic reactivity of TiO2 significantly due to the difference in surface elastic properties of different surface structures with different surface adsorption or *** article reviews our recent work by using density function theory calculations on the effect of strain on the TiO2 surface properties,including surface relative stability,surface defects,surface adsorption and dissociation.

关键词： semiconductor theory material thin film

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