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Ultrafast flash memory with large self-rectifying ratio based on atomically thin MoS_(2)-channel transistor

Materials Futures 2022年第2期1卷 153-162页

作者： Liwei Liu Yibo Sun Xiaohe Huang Chunsen Liu Zhaowu Tang Senfeng Zeng David Wei Zhang Shaozhi Deng Peng Zhou Frontier Institute of Chip and System Fudan UniversityShanghai 200433People’s Republic of China State Key Laboratory of ASIC and System School of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433People’s Republic of China State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and TechnologySchool of Electronics and Information TechnologySun Yat-sen UniversityGuangzhou 510275People’s Republic of China

Flash memory with high operation speed and stable retention performance is in great demand to meet the requirements of big *** addition,the realisation of ultrafast flash memory with novel functions offers a means of combining heterogeneous components into a homogeneous device without considering impedance *** report proposes a 20 ns programme flash memory with 10^(8) self-rectifying ratios based on a 0.65 nm-thick MoS_(2)-channel transistor.A high-quality van der Waals heterojunction with a sharp interface is formed between the Cr/Au metal floating layer and h-BN tunnelling *** addition,the large rectification ratio and low ideality factor(n=1.13)facilitate the application of the MoS_(2)-channel flash memory as a bit-line select ***,owing to the ultralow MoS_(2)/h-BN heterojunction capacitance(50 fF),the memory device exhibits superior performance as a high-frequency(up to 1 MHz)sine signal *** results pave the way toward the potential utilisation of multifunctional memory devices in ultrafast two-dimensional NAND-flash applications.

关键词： ultra-fast flash memory metal floating gate atomic sharp interface atomic thin channel self-rectification transistor high-frequency rectifier

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