检索结果-南通市图书馆

A novel 2 T P-channel nano-crystal memory for low power/high speed embedded NVM applications

Journal of Semiconductors 2012年第8期33卷 67-70页

作者：张君宇王永刘璟张满红许中广霍宗亮刘明 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

We introduce a novel 2 T P-channel nano-crystal memory structure for low power and high speed embedded non-volatile memory（NVM） *** using the band-to-band tunneling-induced hot-electron （BTBTIHE） injection scheme,both high-speed and low power programming can be achieved at the same time. Due to the use of a select transistor,the ＂erased states＂ can be set to below 0 V,so that the periphery HV circuit （high-voltage generating and management） and read-out circuit can be *** memory cell performance has also been achieved,including a fast program/erase（P/E） speed（a 1.15 V memory window under 10μs program pulse）,an excellent data retention（only 20%charge loss for 10 years）.The data shows that the device has strong potential for future embedded NVM applications.

关键词： P-channel select transistor nano-crystal memory embedded

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