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Analysis of recoverable and permanent components of threshold voltage shift in NBT stressed p-channel power VDMOSFET
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Chinese Physics B 2015年 第10期24卷 386-394页
作者: Danijel Dankovi Ninoslav Stojadinovi Zoran Priji Ivica Mani Vojkan Davidovi Aneta Priji Snezana Djoric-Veljkovi Snezana Golubovi Department of Microelectronics Faculty of Electronic EngineeringUniversity of Nis Department of Mathematics Physics and InformaticsFaculty of Civil Engineering and ArchitectureUniversity of Nis
In this study we investigate the dynamic recovery effects in IRF9520 commercial p-channel power vertical double diffused metal-oxide semiconductor field-effect transistors(VDMOSFETs) subjected to negative bias tempe... 详细信息
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