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作者

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High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained quantum well lasers
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Journal of Semiconductors 2000年 第5期21卷 417-420页
作者： 徐遵图 杨国文 张敬明 马骁宇 徐俊英 沈光地 陈良惠 中科院半导体所 北京 100083 北京工业大学 北京市光电子技术实验室 北京 100022
High efficiency Al\|free InGaAs/InGaAsP/InGaP lasers emitting at 980nm are fabricated by MOCVD. The lasers exhibit a high internal quantum efficiency of 95% and a low internal loss of 1\^8 cm\+\{-1\}. Low threshold cu... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Highly-Strained InGaAs/GaAs Single-quantum-well lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
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引用
Journal of Semiconductors 2001年 第9期22卷 1097-1101页
作者： 潘钟 李联合 徐应强 杜云 林耀望 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 北京100083
Highly stained InGaAs/GaAs quantum wells (QW) are grown by using molecular beam *** room-temperature photoluminescence (PL) peak wavelength as long as 1160nm is obtained from QW with the In composition of 38% and the ... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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