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Principle and Analysis of Novel Gate-Induced Noise in pixel mosfet of CMOS Imagers

Journal of Semiconductors 2003年第9期24卷 921-926页

作者：金湘亮陈杰仇玉林中国科学院微电子中心北京100029

A detailed principle and a rigorous analysis of a new noise,the gate-induced noise,in pixel mosfet of CMOS imagers are *** gate-induced noise of the mosfet is more notable in the strong reversion region than that in the subthreshold region when the applied gate voltage is ***,the applied gate voltage being up to 3V,the gate-induced noise is more notable with the ω/ω T increasing when the mosfet operates in the subthreshold region than that in the strong reversion *** the photocurrent I D and the root mean square value of the gated-induced noise,current i 2 d presents the relation of i 2 d∝I D in the saturation region of the strong reversion and approximately i 2 d∝I D in the subthreshold region.A deta iled and rigorous study of the gate-induced noise in the reset mosfet for the p hotodiode APS and improved photodiode APS are *** improvement of logari thmic response APS is analyzed and the simulation results show that the gate-in duced noise can be reduced.

关键词： gate-induced noise pixel mosfet improved photodiode APS CMOS imagers

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