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Numerical method and analysis of computational fluid mechanics for photoelectric semiconducting detector

Applied Mathematics and Mechanics(English Edition) 2009年第8期30卷 991-1002页

作者：袁益让李长峰刘允欣马丽芹 Institute of Mathematics Shandong University School of Mathematics and Physics Qingdao University of Science and Technology

We propose a modified upwind finite difference fractional step scheme for the computational fluid mechanics simulations of a three-dimensional photoelectric semiconductor detector. We obtain the optimal l^2-norm error estimates by using the techniques including the calculus of variations, the energy methods, the induction hypothesis, and a priori estimates. The proposed scheme is successfully applied to the simulation of the photoelectric semiconductor detectors.

关键词： photoelectric detector fluid mechanics model upwind fractional step the-oretical analysis actual application

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An improved design for Al Ga N solar-blind avalanche photodiodes with enhanced avalanche ionization

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Chinese Physics B 2017年第3期26卷 588-591页

作者：汤寅蔡青杨莲红董可秀陈敦军陆海张荣郑有炓 Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials School of Electronic Science and EngineeringNanjing University Department of Physics Changji College School of Mechanical and Electronic Engineering Chuzhou University

To enhance the avalanche ionization, we designed a new separate absorption and multiplication AlGaN solarblind avalanche photodiode （APD） by using a high/low-Al-content AlGaN heterostructure as the multiplication region instead of the conventional AlGaN homogeneous layer. The calculated results show that the designed APD with Al0.3Ga0.7N/Al0.45Ga0.55N heterostructure multiplication region exhibits a 60% higher gain than the conventional APD and a smaller avalanche breakdown voltage due to the use of the low-Al-content Al0.3Ga0.7N which has about a six times higher hole ionization coefficient than the high-Al-content Al0.45Ga0.55N. Meanwhile, the designed APD still remains a good solar-blind characteristic by introducing a quarter-wave A1GaN/A1N distributed Bragg reflectors structure at the bottom of the device.

关键词： AlGaN deep ultraviolet photoelectric detector distributed Bragg reflector

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