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Influence of oxygen exposure on instabilities of perfluoropentacene transistor characteristics with different gate insulators

引用

Progress in Natural Science:Materials International 2011年第1期21卷 12-16页

作者： Hideharu UEKI Hiroaki YANO Hirokuni OHUCHI Yutaro TAKAYANAGI Yasushiro NISHIOKA Department of Precision Machinery College of Science and TechnologyNihon UniversityChiba 274-8501Japan

Pentacene for p-channel organic field effect transistors（OTFTs） and perfluoropentacene for n-channel OTFTs have attracted strong attentions to be used as CMOS type organic semiconductor materials for flexible organic displays.n-channel OTFTs with different gate insulators of polyimide（PI） and SiO2and perfluoropentacene as a semiconductor layer were fabricated,and their instability of the transistor characteristics measured in air,vacuum and oxygen was *** results show that both of the transistors exhibit a significant increase of mobility when measured in ***,the mobility of the transistors is significantly reduced when measured in pure oxygen,and the threshold voltages continuously *** phenomena may be related to water diffusion into the perfluoropentacene/gate insulator interface in air and oxidation of perfluoropentacene in oxygen.

关键词： oxygen exposure OTFT perfluoropentacene gate insulator polyimide SiO2

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