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Body-contact self-bias effect in partially depleted soi-cmos and alternatives to suppress floating body effect

Journal of Semiconductors 2011年第2期32卷 33-37页

作者：周建华高明辉彭树根邹世昌 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Graduate University of the Chinese Academy of Sciences

As soi-cmos technology nodes reach the tens ofnanometer regime, body-contacts become more and more ineffective to suppress the floating body effect. In this paper, self-bias effect as the cause for this failure is analyzed and discussed in depth with respect to different structures and conditions. Other alternative approaches to suppressing the floating body effect are also introduced and discussed.

关键词： partially depleted soi-cmos floating body effect hot-carriers kink-effect gate oxide tunneling

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