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orbital magnetization in semiconductors

Chinese Physics B 2009年第12期18卷 5431-5436页

作者：方诚王志刚李树深张平 Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Physics Department East China Institute of Technology Institute of Applied Physics and Computational Mathematics Institute of Applied Physics and Computational Mathematics Beijing 100088China Center for Applied Physics and Technology Peking University

This paper theoretically investigates the orbital magnetization of electron-doped （n-type） semiconductor het-erostructures and of hole-doped （p-type） bulk semiconductors, which are respectively described by a two-dimensional electron/hole Hamiltonian with both the included Rashba spin-orbit coupling and Zeeman splitting terms. It is the Zeeman splitting, rather than the Rashba spin-orbit coupling, that destroys the time-reversal symmetry of the semiconductor systems and results in nontrivial orbital magnetization. The results show that the magnitude of the orbital magnetization per hole and the Hall conductance in the p-type bulk semiconductors are about 10^-2-10^-1 effective Bohr magneton and 10^-1-1 e^2/h, respectively. However, the orbital magnetization per electron and the Hall conductance in the n-type semiconductor heterostructures are too small to be easily observed in experiment.

关键词： orbital magnetization Zeeman splitting Berry phase effect semiconductor

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Strain-dependent resistance and giant gauge factor in monolayer WSe_(2)

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Chinese Physics B 2021年第9期30卷 464-468页

作者：秦茂森叶兴国朱鹏飞徐文正梁晶刘开辉廖志敏 State Key Laboratory for Mesoscopic Physics and Frontiers Science Center for Nano-optoelectronics School of PhysicsPeking UniversityBeijing 100871China

We report the strong dependence of resistance on uniaxial strain in monolayer WSe_(2)at various temperatures,where the gauge factor can reach as large as *** observation of strain-dependent resistance and giant gauge factor is attributed to the emergence of nonzero Berry curvature *** increasing strain,Berry curvature dipole can generate net orbital magnetization,which would introduce additional magnetic scattering,decreasing the mobility and thus *** work demonstrates the strain engineering of Berry curvature and thus the transport properties,making monolayer WSe_(2)potential for application in the highly sensitive strain sensors and high-performance flexible electronics.

关键词： strain engineering van der Waals materials symmetry breaking orbital magnetization Berry curvature

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