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Freely switching between ferroelectric and resistive switching in Hf0.5Zr0.5O2 films and its application on high accuracy on-chip deep neural networks
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Science China(Information Sciences) 2023年 第2期66卷 267-276页
作者： Pengfei JIANG Kunran XU Jie YU Yannan XU Peng YUAN Yuan WANG Yuting CHEN Yaxin DING Shuxian LV Zhiwei DANG Tiancheng GONG Yang YANG Yan WANG Qing LUO Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences University of Chinese Academy of Sciences School of Microelectronics Xidian University Peng Cheng Laboratory
The Hf0.5Zr0.5O2(HZO)-based ferroelectric field-effect transistor(Fe FET) synapse is a promising candidate for at-scale deep neural network(dnn) applications, because of its high symmetry, great accuracy and fast oper... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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