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The 2-axis stress component decoupling of {100} c-Si by using oblique backscattering micro-Raman spectroscopy

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2020年第9期63卷 51-57页

作者： DongHui Fu XiaoYong He LuLu Ma HuaDan Xing Tian Meng Ying Chang Wei Qiu Tianjin Key Laboratory of Modern Engineering Mechanics Department of MechanicsTianjin UniversityTianjin 300350China Department of Mechanical Engineering Lamar UniversityBeaumont TX 77710USA Department of Electrical and Computer Engineering University of DelawareNewark DE 19711USA

With the application of strain engineering in microelectronics,complex stress states are introduced into advanced semiconductor ***,there is still a lack of effective metrology for the decoupling analysis of the complex stress states in semiconductor *** paper presents an investigation on the 2-axis stress component decoupling of{100}monocrystalline silicon(c-Si)by using oblique backscattering micro-Raman spectroscopy.A spectral-mechanical model was established,and two practicable methods for actual stress decoupling analyses were *** verification experiments demonstrated the correctness and applicability of the methods proposed in this paper.

关键词： {100}c-Si stress component decoupling oblique backscattering micro-Raman spectroscopy

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