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Gate tunable spatial accumulation of valley-spin in chemical vapor deposition grown 40°-twisted bilayer WS2

Journal of Semiconductors 2023年第1期44卷 74-78页

作者： Siwen Zhao Gonglei Shao Zheng Vitto Han Song Liu Tongyao Zhang Shenyang National Laboratory for Materials Science Institute of Metal ResearchChinese Academy of SciencesShenyang 110010China Institute of Chemical Biology and Nanomedicine State Key Laboratory of Chemo/Biosensing and ChemometricsCollege of Chemistry and Chemical EngineeringHunan UniversityChangsha 410082China State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices Institute of Opto-ElectronicsShanxi UniversityTaiyuan 030006China Collaborative Innovation Center of Extreme Optics Shanxi UniversityTaiyuan 030006China

The emerging two-dimensional materials,particularly transition metal dichalcogenides(TMDs),are known to exhibit valley degree of freedom with long valley lifetime,which hold great promises in the implementation of valleytronic ***,light-valley interactions have attracted attentions in these systems,as the electrical generation of valley magnetization can be readily achieved—a rather different route toward magnetoelectric(ME)effect as compared to that from conventional electron ***,so far,the moiré patterns constructed with twisted bilayer TMDs remain largely unexplored in regard of their valley spin polarizations,even though the symmetry might be distinct from the AB stacked bilayer ***,we study the valley Hall effect(VHE)in 40°-twisted chemical vapor deposition(CVD)grown WS2moiré transistors,using optical Kerr rotation measurements at 20 *** observe a clear gate tunable spatial distribution of the valley carrier imbalance induced by the VHE when a current is exerted in the system.

关键词： transition metal dichalcogenides valleytronic devices light-valley interactions valley Hall effect

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