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Nonlinear parametric interactions in ion-implanted semiconductor plasmas having strain-dependent dielectric constants

引用

Chinese Physics B 2017年第1期26卷 304-309页

作者： N Yadav S Ghosh P S Malviya School of Studies in Physics Vikram University Ujjain 465010 India Department of Physics Govt. J.N.S. Post Graduate College Shujalpur 465333 India

We report nonlinear parametric interactions using a hydrodynamic model of ion-implanted semiconductor plasmas having strain-dependent dielectric constants（SDDC）. High-dielectric-constant materials are technologically important because of their nonlinear properties. We find that the third-order susceptibility varies in the range 10^-14--10^-12m^2·V^-2 for ion-implanted semiconductor plasmas, which is in good agreement with previous results. It is found that the presence of SDDC in ion-implanted semiconductor plasma modifies the characteristic properties of the material.

关键词： nonlinear parametric interactions ion-implanted semiconductor plasmas strain-dependent dielectric constant

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