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Modulating doping and interface magnetism of epitaxial graphene on SiC(0001)

Chinese Physics B 2016年第1期25卷 770-776页

作者：周攀何大伟 Key Laboratory of Luminescence and Optical Information Ministry of Education Institute of Optoelectronic TechnologyBeijing Jiaotong University

On the basis of first principles calculations, we report that the type and density of charge carriers of epitaxial graphene on SiC（O001） can be deliberately controlled by decorating the buffer layer with specific atoms （i.e., F, C1, O, or N）. More importantly, a fine tuning of the doping behavior from intrinsic n-type to charge neutrality to p-type and interface magnetism is achieved via increasing the doping concentration of F atoms on the buffer layer. Our results suggest an interesting avenue to the application of epitaxial graphene in nanoscale electronic and spintronic devices.

关键词： graphene interface magnetism doping SiC

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