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Ohmic Contact Properties of Multi-Metal Films on n-Type 4H-SiC

Journal of Semiconductors 2007年第2期28卷 149-153页

作者：韩茹杨银堂王平崔占东李亮西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 中国电子科技集团公司第13研究所石家庄050051

An investigation of Au/Ti/Ni and Au/Ti/Pt ohmic contacts to n-type 4H-SiC and the behavior of metal films on SiC with thermal anneals is reported. Specific contact resistance as low as 2. 765 x 10^-6Ω·cm^2 was achieved after rapid thermal annealing in N2 for 2min at 950℃. SIMS analysis shows that the formation of Ni silicide after annealing supported a number of carbon atoms＇ outdiffusion from the SiC to form interstitial compound TiC. This process can create abundant C vacancies near the interface. It is the carbon defect layer that enhances the defect-assisted tunneling. The interface band structure within the defect level could make it clear why the metal-SiC contacts become ohmic during annealing.

关键词： silicon carbide ohmic contact carbon vacancy interface band structure

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