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Normally-off AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors with in-situ aln gate insulator

Chinese Physics B 2022年第12期31卷 526-530页

作者： Taofei Pu Shuqiang Liu Xiaobo Li Ting-Ting Wang Jiyao Du Liuan Li Liang He Xinke Liu Jin-Ping Ao Hanshan Normal University Chaozhou 521041China No.5 Electronics Research Institute of the Ministry of Industry and Information Technology Guangzhou 510610China Shenzhen University Shenzhen 518000China School of Microelectronics Xidian UniversityXi’an 710071China School of Automation and Electrical Engineering Shenyang Ligong UniversityShenyang 110159China Yibin Research Institute Jilin UniversityYibin 644000China

AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors(HFETs)with p-GaN cap layer are developed for normally-off operation,in which an in-situ grown aln layer is utilized as the gate *** with the SiNxgate insulator,the aln/p-GaN interface presents a more obvious energy band bending and a wider depletion region,which helps to positively shift the threshold *** addition,the relatively large conduction band offset of aln/p-GaN is beneficial to suppress the gate leakage current and enhance the gate breakdown *** to the introduction of aln layer,normally-off p-GaN capped AlGaN/GaN HFET with a threshold voltage of 4 V and a gate swing of 13 V is ***,the field-effect mobility is approximately 1500 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)in the 2DEG channel,implying a good device performance.

关键词： AlGaN/GaN HFET normally-off in-situ aln metal-insulator-semiconductor

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